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文檔簡介
1、隨著IGBT在電力電子技術(shù)中的廣泛應(yīng)用,其驅(qū)動模塊的設(shè)計也備受關(guān)注。因為它是提高能量轉(zhuǎn)換效率和保護IGBT的關(guān)鍵器件,它是強電和弱點的接口,是IGBT門極控制的直接動力,又是檢測IGBT狀態(tài)的最直接方式,所以IGBT驅(qū)動芯片的設(shè)計既涉及對于IGBT功率半導體的特性了解,又要結(jié)合大規(guī)模集成電路制造的工藝現(xiàn)狀。
本文首先詳細討論了IGBT的結(jié)構(gòu)和工作機理,以及它的基本應(yīng)用拓撲,包括驅(qū)動和隔離等內(nèi)容,旨在為驅(qū)動芯片的設(shè)計提供實際的應(yīng)
2、用環(huán)境。因為IGBT可視為雙極型大功率晶體管和功率場效應(yīng)晶體管的復合,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管。所以開關(guān)過程較為復雜,而且開關(guān)時間不對稱,關(guān)斷時存在拖尾現(xiàn)象。為了針對IGBT驅(qū)動進行設(shè)計,因此對IGBT的討論占用了不少的篇幅。
另外,它的基本應(yīng)用系統(tǒng)和切實可行的工藝選擇也是設(shè)計一款芯片必備的條件。IGBT一般用于逆變電路,上下臂電壓差別很大,因此需要隔離;IGBT驅(qū)動對于電壓電流的要求較高,同時又要集成保護
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