SiC開關(guān)器件驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì).pdf

1、SiC開關(guān)器件是目前電力電子領(lǐng)域研究的重點(diǎn)，SiC MOSFET作為最典型的電力電子開關(guān)器件，被廣泛應(yīng)用于需要高擊穿電壓、高電流傳輸能力、低功率損耗、工作溫度高的電力電子電路中。SiC開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電路作為高壓電路與低壓控制電路之間的接口，直接決定了開關(guān)器件能否穩(wěn)定工作。但是，隨著開關(guān)頻率的提升，SiC器件的開關(guān)損耗逐漸增大，而已有的驅(qū)動(dòng)電路無(wú)法解決開關(guān)損耗的問(wèn)題。
　　本文提出了一種適用于SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)的閉環(huán)控制策略，

2、并根據(jù)此策略設(shè)計(jì)了一款SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片。芯片的主要功能是為SiC MOSFET提供-5V～15V的驅(qū)動(dòng)電壓且正負(fù)大小可控的驅(qū)動(dòng)電流，而且可以根據(jù)外圍檢測(cè)電路得到的di/dt和dv/dt信號(hào)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)正負(fù)驅(qū)動(dòng)電流的大小，從達(dá)到減少器件開關(guān)損耗的目的。
　　芯片主要包含的模塊由電平位移模塊，比較器模塊，邏輯控制模塊和電流驅(qū)動(dòng)模塊。本文從各個(gè)模塊的基本電路原理出發(fā)，逐步闡述了芯片的電路設(shè)計(jì)原理和仿真結(jié)果。接下來(lái)，本文基于工藝平