一種IGBT驅動電路的設計與仿真.pdf

1、論文中介紹了智能功率集成電路的基本原理和發(fā)展趨勢,智能功率集成電路作為電力電子技術中的新興力量,在解決能源匱乏,原材料緊張的情況起著重要的作用。智能功率集成電路在BCD工藝發(fā)展的基礎上,朝著更高電壓、更大功率、更高密度等三分方向發(fā)展。
　　本論文希望設計一種驅動IGBT的高壓驅動電路,電路的偏置電壓可以達到600V,驅動電流達到1A,峰值可以達到2A,而且電路擁有互不影響的高/低端驅動電路與過流、欠壓保護能力。參照電路工作原理和性

2、能要求,提出電路結構圖,同時在考慮到電路需要兩個通道,設計的電路需要用半橋驅動結構,并將設計的電路分為三個主要模塊:接口模塊,功率控制模塊和保護模塊,其中將功率控制模塊分為高、低端兩部分。研究的電路能夠用來驅動高壓MOS管或IGBT管等,作為高壓驅動電路的一種也可以應用于電機驅動、電源變換、電子鎮(zhèn)流器、等離子顯示器等領域。
　　在電路的輸入端以及輸出端都增加了ESD保護結構,這樣能夠避免高壓集成電路遭到外界信號的干預,本文選用CD

3、M結構。輸入級電路主要完成電平變換,獲得電路的工作電壓。輸入邏輯和延遲電路主要是完成高、低電路之間的匹配,防止高、低端器件的同時導通。保護模塊主要完成對工作電壓的檢測,防止外界干擾而造成的不必要的功率損耗,檢測電路中的過大電流,防止電路損壞。電路的關鍵在于電平變換,電路主要完成方波信號到脈沖信號的變換,對脈沖信號的升壓,最后將脈沖信號還原為方波信號。輸出級電路主要對驅動信號進行最后放大,得到能夠驅動高壓功率器件的驅動電流。
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