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文檔簡介
1、隨著無線通訊、智能手機和LED等微電子行業(yè)和光電子行業(yè)的迅猛發(fā)展,對高純鎵的需求量越來越大,而且對其純度的要求越來越高,高純鎵的制備技術(shù)成為了研究的熱點。結(jié)晶法具有操作簡便、生產(chǎn)周期短、生產(chǎn)過程能耗低等優(yōu)點,可以作為理想的制備高純鎵的方法。論文以自主設(shè)計的結(jié)晶器為基礎(chǔ),系統(tǒng)的研究了結(jié)晶法制備高純鎵的工藝條件,并成功制備出符合國家標(biāo)準要求的6N高純鎵和7N高純鎵。
論文結(jié)合結(jié)晶法的原理和稀散金屬鎵的性質(zhì),設(shè)計制作了符合實驗要求的
2、結(jié)晶器;通過對幾種材料組分溶出情況的對比分析,選定化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、組分溶出量幾乎為零的聚四氟乙烯塑料作為結(jié)晶器的器壁內(nèi)襯材料;并根據(jù)實驗要求設(shè)計安裝了結(jié)晶裝置,確定并優(yōu)化了實驗流程。實驗考察了冷卻水流量、冷卻水溫度、晶種嫁接數(shù)目等因素對結(jié)晶時間和晶體生長狀況的影響,確定了合適的工藝參數(shù)。實驗結(jié)果表明:
(1)結(jié)晶時間隨著冷卻水流量的增加不斷減小,當(dāng)流量達到60 L·h-1后,結(jié)晶時間不再隨流量的變化發(fā)生變化,且其隨流量變化的函數(shù)
3、關(guān)系式為:t=108.8+8.2(1+(eQ-43/4.4)),冷卻水流量控制在50-75L·h-1時,晶體能夠均勻生長;
(2)結(jié)晶時間隨著冷卻水溫度的升高不斷增大,冷卻水溫度控制在20-22℃時,晶體生長均勻,晶粒大小一致,結(jié)晶時間隨冷卻水溫度變化的函數(shù)關(guān)系式為:t=131.2-18.7T+0.87T2;
(3)外接晶種可以誘導(dǎo)晶核的形成,縮短結(jié)晶周期。
綜合以上實驗結(jié)果,論文選取60L·h-1的冷卻水
4、流量、20-22℃的冷卻水溫度、結(jié)晶初期外接4個對稱分布的晶種作為最佳的結(jié)晶工藝參數(shù)。
實驗樣品的HR-GDMS檢測結(jié)果表明,22℃的冷卻水溫度、60L·h-1冷卻水流量、90%凝固率的條件下,7次重結(jié)晶的實驗樣品純度可到達6N高純鎵的國家標(biāo)準,且收得率為45.92%;8次重結(jié)晶的實驗樣品純度可達到7N高純鎵的國家標(biāo)準,且收得率為41.33%。最后,論文根據(jù)結(jié)晶過程中各雜質(zhì)元素的含量變化計算了部分雜質(zhì)元素在22℃下的分凝系數(shù)(
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