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文檔簡介
1、硅通道板是一種新型的光電倍增器件,與傳統(tǒng)的微通道板相比,由于采用微加工技術,具有通道孔徑更小,分辨率更高,制備高長徑比更容易等優(yōu)點,是理想的代替?zhèn)鹘y(tǒng)微通道板的新型器件。電化學微加工技術是由電化學刻蝕多孔硅技術發(fā)展而來,具有生產效率高和成本低等優(yōu)點。目前,此類技術的主要面臨的問題為在電化學腐蝕過程中如何有效控制微通道孔徑,保證微通道陣列能等徑生長。
本論文通過研究電化學反應原理,確定主要影響微通道等徑生長的因素并開展研究工作。電
2、化學刻蝕硅微通道孔徑變化由微通道內部電化學反應決定,所以電化學反應的實驗條件因素均會對孔徑變化產生影響。研究電化學刻蝕硅微通道孔徑的主要影響因素,包括腐蝕電壓、HF濃度及實驗溫度及表面活性劑。通過設計對比實驗觀察各影響因素對微通道孔徑影響,并結合電化學腐蝕原理和交流阻抗譜分析其原因。通過以上研究工作,確定了最佳腐蝕條件:腐蝕電壓0.5V、溫度13℃、重量比5%HF溶液中加入陰離子型表面活性劑。這一實驗條件進行電化學腐蝕可實現(xiàn)對微通道的孔
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