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文檔簡介
1、第一、二代半導體材料為工業(yè)進步、社會發(fā)展做出了貢獻,如今第三代新型半導體材料以SiC、GaN為代表憑借優(yōu)異的性能正在迅速崛起。關于新型半導體材料的相關制備工藝是學術及工業(yè)界的關注熱點,與制備工藝密切有關的化學氣相沉積(CVD)設備的研發(fā)同樣受到重視。由于制備反應過程中復雜的氣體流動及尾氣系統(tǒng)對反應腔內部壓力的控制直接影響著材料的生長質量、厚度均勻性等,且發(fā)生的復雜的氣體化學反應及砷、磷等氫化物具有較強的毒性,對設備氣路系統(tǒng)尤其是尾氣系統(tǒng)
2、提出了很高的要求。
本文首先簡要介紹了MOCVD設備在LED半導體產業(yè)中的應用,以及設備整體組成系統(tǒng)。重點介紹了氣路系統(tǒng)及其子系統(tǒng)尾氣系統(tǒng),結合氣路工作原理圖,通過對尾氣系統(tǒng)工作原理進行分析,提出關鍵技術:尾氣處理、對反應腔內部壓力有影響的相關元件選取和設計。
其次,對尾氣處理的關鍵部件--顆粒過濾器進行仿真分析?;谟嬎懔黧w力學(CFD)的基本理論,建立顆粒過濾器濾芯數(shù)學模型,分析濾芯內部氣體流場分布情況。并在此模
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