高活性Ga2O3納米晶溶劑熱合成及光催化性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文以Ga(NO3)3水溶液為鎵源，采用溶劑熱法合成一系列棒狀和花狀形貌的寬禁帶Ga2O3納米晶。利用XRD、SEM、DRS、PL等現(xiàn)代分析方法對其晶相結(jié)構(gòu)、形貌及光學特性進行表征和分析，并分別以羅丹明B和苯酚為目標降解物，評價其光催化性能。詳細研究溶劑熱條件、焙燒處理等因素對Ga2O3納米晶晶相結(jié)構(gòu)與活性的影響。
　　 實驗結(jié)果表明，氨水體系中合成棒狀β-Ga2O3光催化劑的最佳條件為：pH=7、120℃溶劑熱反應8h、80

2、0℃焙燒4h;乙二胺(EDA)-H2O體系中合成花狀β-Ga2O3光催化劑最佳條件為：溶劑中EDA比例為30％、160℃溶劑熱反應10h、800℃焙燒4h。
　　 DRS結(jié)果表明，本論文中合成的棒狀和花狀兩種形貌的高活性Ga2O3納米晶均為寬禁帶半導體，具有更強的氧化還原能力。PL光譜顯示花狀比棒狀Ga2O3納米晶的PL光譜信號更強，具有更多的氧空位，光催化反應中性能將更加優(yōu)異。
　　 經(jīng)過溶劑熱法合成的高活性的棒狀和花

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