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文檔簡介
1、納米科技誕生于20世紀(jì)90年代,它促進(jìn)了科技進(jìn)步、提高了社會(huì)文明程度、改善人類的生活質(zhì)量。如今世界各地都在紛紛制定相應(yīng)的發(fā)展戰(zhàn)略,發(fā)展納米科技,將支持納米技術(shù)和材料領(lǐng)域的研究開發(fā)作為21世紀(jì)技術(shù)創(chuàng)新的主要驅(qū)動(dòng)器。
Ga2O3作為直接寬禁帶半導(dǎo)體,對(duì)可見光透明,在室溫下性能穩(wěn)定,可以用作紫外濾光片、氣體傳感器、紫外光和藍(lán)光發(fā)光二級(jí)管等。CuO納米顆粒薄膜作為少有的p型半導(dǎo)體材料,在超導(dǎo)材料、化學(xué)催化劑、生物催化劑和太陽能電池的電
2、極材料等方面均有重要的應(yīng)用。
對(duì)Ga2O3納米材料的研究主要集中在薄膜材料高溫下的氣敏性和準(zhǔn)一維材料的光電特性,而針對(duì)一維材料表面氧吸附對(duì)電學(xué)特性造成影響的研究基本上沒有,同時(shí)很多文章認(rèn)為只有氧化鎵的薄膜材料在高溫下才會(huì)受氣氛的影響。同樣,CuO納米顆粒應(yīng)用廣泛,且這些應(yīng)用很多涉及表面氧吸附,但是對(duì)它的研究很少。于是本文重點(diǎn)研究了這兩個(gè)方面,本文的具體內(nèi)容概括如下:
1、采用高溫CVD法成功制備了Ga2O3納米帶,最
3、佳制備參數(shù),溫度950℃,氧氣流量2sccm,加熱時(shí)間不低于0.5h,材料的生長機(jī)制為氣-固機(jī)制。水浴法制備出了柳葉狀CuO納米顆粒。
2、對(duì)β-Ga2O3納米帶做XRD、SEM、TEM表征,長度達(dá)到幾百微米,寬15μm,厚度只有300nm,寬厚比為50,產(chǎn)物為單晶,(111)晶面間距為0.285nm,EDS測(cè)試表明樣品中只含有Ga和O兩種元素。CuO顆粒寬40nm,厚幾納米,制備的樣品為多晶。
3、制備出膠片式掩模
4、板,利用光刻濺射技術(shù)在熱氧化了30nmSiO2的Si襯底上制備Pt/Ti/SiO2/Si叉指電極。構(gòu)建含單段Ga2O3納米帶簡易器件。室溫下氮?dú)庵袦y(cè)試(I)-(V)曲線,發(fā)現(xiàn)它與Pt電極形成對(duì)稱的雙肖特基接觸,結(jié)合金屬功函數(shù)與半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)理論分析得出產(chǎn)物為n型半導(dǎo)體。制備了多段納米帶并聯(lián)的器件,發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體電阻并聯(lián)與理想電阻并聯(lián)時(shí)的阻值變化趨勢(shì)相似??諝庵袦y(cè)得伏安曲線變化很大,表面氧吸附使金半接觸勢(shì)壘降低體電阻增加,確定了氧吸附給準(zhǔn)一維
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