憶阻器的數(shù)學(xué)建模及其邏輯電路設(shè)計.pdf

1、憶阻器是電阻器，電感器和電容器之外的第四個基本部件。由于憶阻器具有尺寸小、兼容性良好、可集成性高、功耗低等優(yōu)勢特性，它被認(rèn)為是替代現(xiàn)有的晶體管從而延續(xù)摩爾定律的有力競爭者。通過憶阻器，有望構(gòu)造出一種邏輯運算與信息存儲為一體的新型計算機(jī)架構(gòu)。因此，憶阻器的建模與仿真以及邏輯運算方面的應(yīng)用成為了研究的前沿與重點。本文基于憶阻器的基本理論，在數(shù)學(xué)建模和邏輯運算方面進(jìn)行了探討。本文所做的主要工作有：
　　（1）介紹了憶阻器的基本原理以及目

2、前研究界主流的三種數(shù)學(xué)模型：線性模型、非線性模型以及Simmons隧穿模型。詳細(xì)闡述了這三種模型的數(shù)學(xué)機(jī)理與物理特性。
　?。?）根據(jù)憶阻器的基本理論，結(jié)合現(xiàn)有研究的優(yōu)缺點提出了一種新型的數(shù)學(xué)模型。通過調(diào)節(jié)該模型的擬合參數(shù)，可以仿真逼近絕大部分的實際憶阻器物理器件和理論數(shù)學(xué)模型。這使得該模型可以滿足目前絕大部分的應(yīng)用場景，驗證了該模型的有效性與優(yōu)越性。
　?。?）利用憶阻器具有高低兩種不同阻值狀態(tài)的特點，成功模擬晶體管的導(dǎo)通