基于憶阻的讀寫(xiě)電路設(shè)計(jì)及其應(yīng)用研究.pdf

1、隨著芯片集成技術(shù)的日趨成熟，摩爾定律受到了挑戰(zhàn)。目前存儲(chǔ)技術(shù)受到了材料，工藝等方面的限制，已經(jīng)發(fā)展到了瓶頸。而憶阻由于其阻變特性，非易失性以及其納米級(jí)的尺寸，滿足了對(duì)存儲(chǔ)器大容量、高速度和低功耗的要求，可以用于解決目前在存儲(chǔ)技術(shù)上遇到的難題。
　　本文介紹了目前主流的存儲(chǔ)技術(shù)以及由于憶阻的問(wèn)世所帶來(lái)的新興存儲(chǔ)技術(shù)，對(duì)憶阻在存儲(chǔ)上應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)進(jìn)行分析，并對(duì)多項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)之間的性能參數(shù)進(jìn)行了比較。同時(shí)對(duì)目前的主流憶阻模型—惠普憶阻模型，以

2、及相關(guān)模型改進(jìn)做了詳細(xì)的介紹。
　　基于惠普憶阻模型，結(jié)合數(shù)據(jù)存取的需求，本文對(duì)憶阻讀寫(xiě)進(jìn)行了數(shù)學(xué)分析，對(duì)最近今年憶阻讀寫(xiě)方案設(shè)計(jì)進(jìn)行分析仿真。從理論上證明了讀取操作會(huì)對(duì)憶阻所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)帶來(lái)的損壞，仿真結(jié)果也表明該問(wèn)題確實(shí)存在。本文設(shè)計(jì)了存儲(chǔ)憶阻的狀態(tài)更新方案用以解決該問(wèn)題。
　　本文還對(duì)設(shè)計(jì)方案的應(yīng)用進(jìn)行了研究，提出了所設(shè)計(jì)方案在多值存儲(chǔ)以及陣列存儲(chǔ)中的應(yīng)用。將憶阻由二值存儲(chǔ)擴(kuò)展到四值存儲(chǔ)，進(jìn)行了狀態(tài)設(shè)計(jì)以及讀寫(xiě)方案設(shè)計(jì)；