2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩42頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、本工作利用對靶磁控濺射技術在單晶Si和石英襯底上進行了納米SiN:H薄膜及a-Si:H/SiN:H的制備。通過傅立葉變換紅外吸收光譜、紫外-可見透射光譜、原子力顯微鏡、電子散射能譜、拉曼光譜以及光致發(fā)光譜等多種技術手段,對薄膜的成分、鍵合結構、形貌、沉積速率以及發(fā)光特性等進行了表征和分析。研究了襯底溫度、氫氣流量實驗參量對薄膜的微觀結構和光學特性的影響。根據(jù)典型SiN:H微結構薄膜的制備條件,設計制備了a-Si:H/SiN:H多層膜結構

2、,并對其微觀結構和光學特性之間的關系進行了研究。
   研究結果表明,調整氫氣流量為納米薄膜結構改善、發(fā)光效率提高提供了有效途徑。當氫氣流量從10Sccm增加到25Sccm時,薄膜的有序度逐漸增加,缺陷態(tài)密度逐漸減小,PL譜表現(xiàn)為較強的室溫發(fā)光。隨著氫氣流量的進一步增加,薄膜的有序度減小,缺陷態(tài)密度增加。改變襯底溫度可實現(xiàn)不同結構的薄膜沉積,過低和過高的襯底溫度都會影響薄膜的沉積狀態(tài)。AFM結果顯示,當溫度較高時,樣品表面較模糊

3、,粒子出現(xiàn)團簇現(xiàn)象。襯底溫度從90度增至250度時,薄膜中鍵合氫含量逐漸減小,Eu能逐漸增加,表明薄膜的無序度逐漸增大。以SiN:H為勢壘層,納米硅薄膜為勢阱層,獲得了以納米非晶硅為特征的納米硅/SiN:H多層結構薄膜,與單層SiN:H薄膜比較,多層薄膜缺陷態(tài)密度增加,光學帶隙減??;a-Si:H/SiN:H薄膜的光致發(fā)光表現(xiàn)為中心峰位為2.6eV的帶譜發(fā)光,熒光激發(fā)譜分析證明,該發(fā)光主要來自于納米硅粒子激發(fā),同時氮化硅基質層也有一定貢獻

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論