PECVD氮化硅薄膜熱導率特性的測試與研究.pdf

1、熱導率是表征物質導熱能力的參數(shù)。體材料的熱導率與其幾何參數(shù)無關，是材料本身屬性的。不過隨著微細加工工藝的迅速發(fā)展，MEMS器件的集成度越來越高，器件尺寸也越來越小。在微細尺度下，薄膜材料的熱導率會因為加工工藝的差異發(fā)生很大的變化，且無法直接利用經(jīng)典傳熱理論進行解釋和分析。另外，隨著 MEMS器件的特征尺寸的微型化，器件內部的散熱問題成為了制約器件性能和壽命的關鍵因素。因此，研究微細尺度薄膜熱導率有著重大的意義。
　　本論文主要研究

2、了在微尺度熱傳導效應下，氮化硅薄膜熱導率的測試方法。設計了一種新的測試氮化硅薄膜熱導率的方法。該方法采用一維雙端支撐懸臂梁結構，懸臂梁由底層的待測氮化硅薄膜以及上層的加熱兼測溫電阻組成。使用一維熱傳導方程推導出在施加直流電流的情況下懸臂梁的溫升分布ΔT以及兩端的電壓降增量ΔU。采用ANSYS有限元仿真軟件仿真了不同參數(shù)時的ΔT及ΔU，仿真結果與溫升表達式計算結果吻合得很好，驗證了測試結構的可靠性與準確性。
　　采用 L-edit軟