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1、大連理工大學(xué)碩士學(xué)位論文氮化硅薄膜制備及其相關(guān)特性研究姓名:張廣英申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專(zhuān)業(yè):材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師:吳愛(ài)民20090601氮化硅薄膜制備及其相關(guān)特性研究SynthesisandCharacteristicStudiesofSiliconNitrideFilmsAbstractSiliconnitridefilmswerewidelyusedinthesemiconductordeviceindustryaspassivat
2、ionlayers,diffusionbarriers,gatedielectricsandisolationmaterialRecentlyhydrogenatedamorphoussiliconnitride(口一SiNx:H,SiNforshort)asefficientantireflectioncoating(ARC)forsiliconsolarcellsdepositedbyECRPECVDhasattractedmore
3、attentionComparedtootherantireflection(AR)materialslikesilicondioxide,siliconnitridefilmhashigherrefractiveindexItgivessuperiorARproperties,particularlyunderencapsulationThefilmalsocontainssufficienthydrogenwhichmaydiffu
4、seintothemeSi(microcrystallinesilicon)orribbonSicellsTheseuniquepropertiesmakeSiNallidealcandidateforsurfacepassivatingARcoatingonsolarcellsGenerallythetraditionaldepositiontechniqueofsiliconnitridefilmsislowpressurechem
5、icalvapordeposition(LPCVD)orplasmaenhancedchemicalvapordeposition(PECVD)HowevertheseprocessesmaybeincompatiblewithotherfabricationstepsbecauseofthellighprocessingtemperatureAsahighdensityplasmasource,ECRsystemshavemanyad
6、vantagesOVerconventionaltechniquesTheconsumptionofprecursorsintheECRPECVDtechniqueisverylow,andthetechniqueprovideslowionenergybombardmentandlowplasmadamageInadditionthetechniqueallowsthedepositionofSiNfilmsatlowdepositi
7、ontemperatureswithlowintrinsicstressInthisworkthesiliconnitridefilmshavebeendepositedbyElectronCyclotronResonance—plasmaenhancedchemicalvapordeposition(ECR—PECVD)technique,andthepurenitrogenisintroducedintotheECRchambera
8、stheplasmagas,thesilane(Ardiluted,At:Sill4=19:1)isusedasprecursorgasWeinvestigatedtheoptimumdepositionparametersofSiNfilmsforphotovoltaicapplicationasanefficientARcoatingTheactualcompositionofthefilmswillbevariedwiththed
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