介觀電路量子力學性質的研究.pdf

1、本文是在電荷離散化的基礎上，運用已有的量子化理論，對不同介觀電路模型的量子力學效應進行了相應的理論推導和數(shù)值分析，并做出進一步的研究。全文的主要內容共分為三章： 第一章是引言部分，介紹了介觀系統(tǒng)的相關知識和介觀電路的研究進展。 在第二章，首先，簡述了非耗散介觀電路的量子化方法，為本文后面的工作提供了所需的計算方法。然后，考慮到實際工作中總是存在著耗散，計算了相應的Fock態(tài)下、Q的本征態(tài)下耗散介觀電路的量子漲落，研究了影

2、響量子漲落的因素。結果表明：量子漲落與介觀系統(tǒng)固有參數(shù)、電荷量子化密切相關。 第三章研究了介觀金屬雙環(huán)互感耦合系統(tǒng)的庫侖阻塞效應及量子漲落問題。庫侖阻塞的條件與回路電參數(shù)有關，并且兩回路中磁通的時間變化率同驅動源的取值存在一定的約束關系。在Fock態(tài)下外磁場對介觀金屬雙環(huán)系統(tǒng)的量子漲落并不產生影響。 我們認為，上述這些量子力學效應在其他的電路模型中也存在，值得我們深入研究。這對于設計微小電路、提高電路集成度、降低單片功耗