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GAAS太陽能電池太陽能電池李永富太陽光輻射主要是以可見光為中心，分布于03微米至幾微米光譜范圍，對應(yīng)光子能量04EV4EV之間，總體來說，理想太陽能電池材料需要具備能帶在11EV17EV之間對應(yīng)光波長范圍073113ΜM直接能帶半導(dǎo)體組成材料無毒性可利用薄膜沉積技術(shù)且可大...
下載價(jià)格：6 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-07 / 11人氣
化合物半導(dǎo)體材料GAAS和INP是微電子和光電子的基礎(chǔ)材料。晶體中的位錯(cuò)會大大降低晶體的電學(xué)和光學(xué)性能。位錯(cuò)的產(chǎn)生歸結(jié)于由溫度梯度引起的熱應(yīng)力。采用有限單元法數(shù)值求解了LEC法生長GAAS、INP晶體以及LEFZ法生長GAAS晶體中的熱應(yīng)力。GAAS、INP晶體均假設(shè)為穩(wěn)態(tài)軸對...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 所謂 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 16人氣
負(fù)電子親和勢砷化鎵GAAS光電陰極具有量子效率高，暗發(fā)射小，發(fā)射電子能量分布及角分布集中，長波閾可調(diào)，長波響應(yīng)擴(kuò)展?jié)摿Υ蟮葍?yōu)點(diǎn)，以它為核心的第三代微光像增強(qiáng)器大大擴(kuò)展了夜視儀器的長波閾和視距，在微光夜視領(lǐng)域得到了普遍應(yīng)用。本文結(jié)合“十五”國防科技重點(diǎn)...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 獨(dú)行歸 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 6人氣
GAAS是一種非常重要的ⅢⅤ族直接帶隙化合物半導(dǎo)體材料，具有高的電子遷移率，優(yōu)良的光電性能，廣泛應(yīng)用于制造微波器件，紅外光電器件以及太陽能電池。GAAS是非常重要的光電子與微電子材料，深受國際關(guān)注，對于它的研究已經(jīng)成為當(dāng)前半導(dǎo)體科學(xué)領(lǐng)域的熱點(diǎn)。工業(yè)生產(chǎn)中...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 失心 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 6人氣
天津大學(xué)碩士學(xué)位論文GAAS基HBT器件及工藝研究姓名鄭堅(jiān)斌申請學(xué)位級別碩士專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師申云琴劉訓(xùn)春200111ABSTRACTINTHISPAPERTHEAPPLICATIONOFHBTINHIGHSPEEDCIRCUITANDRFICISDISCUSSED；THENTHEFUNDAMENT，THEBASICSTRUCTUREANDTHEMAINCLASSOF...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： admin / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-12 / 12人氣
負(fù)電子親和勢砷化鎵GAAS光電陰極具有量子效率高，暗發(fā)射小，發(fā)射電子能量分布及角分布集中，長波閾可調(diào)，長波響應(yīng)擴(kuò)展?jié)摿Υ蟮葍?yōu)點(diǎn)，在近幾十年中取得了迅猛發(fā)展，并在微光夜視領(lǐng)域得到了普遍應(yīng)用。目前在激活前對GAAS半導(dǎo)體材料參數(shù)的測試和評估比較困難，如何通過...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 一米陽光一縷光線 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 10人氣
GAAS基片是制備三代微光像增強(qiáng)器光電陰極的主要材料其質(zhì)量對光電材料的量子效率、分辨率等關(guān)鍵參數(shù)有著至關(guān)重要的影響GAAS光電陰極的針孔瑕疵是其質(zhì)量好壞的最直觀表現(xiàn)且成因復(fù)雜對GAAS光電陰極品質(zhì)有重要影響。優(yōu)質(zhì)的GAAS外延材料是實(shí)現(xiàn)激活高靈敏度陰極的先決條件...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 離我而去 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 6人氣
隨著全球科技快速發(fā)展，當(dāng)今世界已經(jīng)進(jìn)入了高速信息時(shí)代，光電技術(shù)在信息時(shí)代的科技發(fā)展中有著至關(guān)重要的地位，而在光電技術(shù)的發(fā)展中，半導(dǎo)體材料憑借著其良好的性能特點(diǎn)占據(jù)了很重要的地位，并迅速地?cái)U(kuò)大著它的應(yīng)用領(lǐng)域。在半導(dǎo)體材料中，ⅢⅤ族化合物又占了很大的...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 既生非何生萌 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 7人氣
隨著雷達(dá)以及微波技術(shù)的發(fā)展對中頻開關(guān)的性能提出了越來越高的要求主要是在高隔離度低損耗的前提下提高開關(guān)速度GAAS中頻開關(guān)具有開關(guān)速度快損耗小隔離度高驅(qū)動功耗幾乎為零體積小等特點(diǎn)能夠滿足人們的要求為了充分發(fā)揮GAAS開關(guān)的速度性能提高GAAS微波開關(guān)的使用靈活...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 愛與理想 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 5人氣
用半導(dǎo)體光電導(dǎo)開關(guān)PHOTOCONDUCTIVESEMICONDUCTSWITCHES簡稱PCSS’S產(chǎn)生的超短電磁脈沖可應(yīng)用于雷達(dá)、通信、THZ成像等技術(shù)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)開關(guān)相比PCSS’S具有開關(guān)速度快、觸發(fā)無晃動、寄生電感電容小、高重復(fù)頻率、結(jié)構(gòu)簡單緊湊等特點(diǎn)。在觸發(fā)光脈沖一定的情況下半導(dǎo)體...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 沾花惹草說愛你 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 5人氣
1965年，光電發(fā)射領(lǐng)域出現(xiàn)了一種新型的光電發(fā)射材料GAASCS。它具有很多優(yōu)點(diǎn)，例如高量子效率、高靈敏度以及較小的暗發(fā)射。因此這種新型的光電發(fā)射材料引起了國內(nèi)外的廣泛重視。此后，ⅢⅤ族化合物GAAS、GAN、INP等光電發(fā)射材料制備的負(fù)電子親和勢NEA光電陰極，便成為...
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砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管GAASMESFET是一種在電子行業(yè)中廣泛應(yīng)用的化合物半導(dǎo)體器件，它對微波功率器件和集成電路的發(fā)展具有很重要的影響。但是，國內(nèi)GAASMESFET柵漏擊穿電壓BVGD普遍偏低，一般僅為10V左右，這嚴(yán)重影響了器件的輸出功率和可靠性。因此，研制高BVGD...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 留下傷口 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 8人氣
點(diǎn)擊查看更多“InP-GaAs、GaAs-Si、InP-GaAs-Si異質(zhì)外延生長技術(shù)及其在集成光電子器件中的應(yīng)用.pdf”精彩內(nèi)容。
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貴州大學(xué)2015屆碩士研究生學(xué)位論文ALGAAS/GAAS薄膜的基本表征學(xué)科專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)研究方向低維半導(dǎo)體材料導(dǎo)師丁召（教授）研究生王一中國﹒貴州﹒貴陽2015年5月分類號O793TN3011論文編號2012021051密級公開
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 悵忘歸 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 10人氣
隨著國際形勢的日益多變各個(gè)國家已經(jīng)把自己的軍用武器列入了各自的保密范疇。晶體管放大器作為微波領(lǐng)域最常見的模塊已被列為重點(diǎn)保密對象。如相控陣?yán)走_(dá)收發(fā)前端等大功率微波模塊所用到的晶體管芯片已經(jīng)對我國實(shí)施了禁運(yùn)限制。為了研究出自主創(chuàng)新的放大器模塊我們有...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 無人相候 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-08 / 1人氣
NGAAS是一種典型的半導(dǎo)體材料，廣泛地應(yīng)用于探測器和耿氏效應(yīng)管等方面，于是NGAAS的混沌研究對相關(guān)器件的制備和應(yīng)用具有理論指導(dǎo)作用。本文首先簡述了混沌的基本知識及混沌控制的主要方法、GAAS的能帶結(jié)構(gòu)及載流子輸運(yùn)特性。然后，對于直流和交流共同偏置的NGAAS，利...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： Strawberry / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 9人氣
隨著微波集成電路的發(fā)展更高頻率和帶寬是功率MMIC的主要研究方向GAAS毫米波寬帶功率MMIC具有小型化、輕量化、高可靠性、強(qiáng)抗干擾能力、精確跟蹤和測量能力等特點(diǎn)可廣泛用于電子對抗、雷達(dá)制導(dǎo)等武器裝備及民用衛(wèi)星和通訊系統(tǒng)。通過1838GHZ100MW功率單片2040GHZ300MW...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 是我太乖 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 5人氣
論文的主要工作如下1對鍵合技術(shù)的歷史、現(xiàn)狀鍵合的方法以及鍵合技術(shù)在不同領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用進(jìn)行了系統(tǒng)的總結(jié)2由于GAAS、INP晶片表面平整度和潔凈度對晶片的鍵合質(zhì)量以及實(shí)現(xiàn)低溫鍵合有著重要的影響所以我們從理論上對平整度和潔凈度的影響進(jìn)行了總結(jié)并通過反復(fù)實(shí)驗(yàn)優(yōu)選出...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 笑著帶過 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 11人氣
掃描近場光學(xué)顯微鏡SNOM是一種能探測納米尺寸的新型顯微工具。這種顯微鏡利用局限在微小孔徑上的隱失場提供物體表面形貌的細(xì)節(jié)，其分辨率可突破傳統(tǒng)光學(xué)的衍射極限。它的問世不僅會促進(jìn)物理、化學(xué)、生物和材料等學(xué)科的研究與發(fā)展，還將引起信息技術(shù)和生命科學(xué)的變革...
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人類通信需求量的急劇增長是光纖通信系統(tǒng)發(fā)展的潛在驅(qū)動力，而新一代光纖通信系統(tǒng)的發(fā)展必然要以新型通信光電子器件作為支撐。當(dāng)前通信光電子器件正處于由分立轉(zhuǎn)向集成的重大變革時(shí)期，而通信光電子集成器件研究所面臨的最突出問題是半導(dǎo)體材料兼容、結(jié)構(gòu)兼容和工藝...
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