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文檔簡介
1、n-GaAs是一種典型的半導體材料，廣泛地應用于探測器和耿氏效應管等方面，于是n-GaAs的混沌研究對相關器件的制備和應用具有理論指導作用。
本文首先簡述了混沌的基本知識及混沌控制的主要方法、GaAs的能帶結構及載流子輸運特性。然后，對于直流和交流共同偏置的n-GaAs，利用其動力學方程，通過分岔圖、李指數(shù)、吸引子和時間序列等表征方法數(shù)值研究了其混沌特性，分析了這個n-GaAs系統(tǒng)進入混沌的方式及不同參數(shù)區(qū)間內該系統(tǒng)的動力
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