GaAs材料光電壓譜特性分析.pdf

1、負(fù)電子親和勢砷化鎵(GaAs)光電陰極具有量子效率高，暗發(fā)射小，發(fā)射電子能量分布及角分布集中，長波閾可調(diào)，長波響應(yīng)擴(kuò)展?jié)摿Υ蟮葍?yōu)點(diǎn)，在近幾十年中取得了迅猛發(fā)展，并在微光夜視領(lǐng)域得到了普遍應(yīng)用。 目前在激活前對GaAs半導(dǎo)體材料參數(shù)的測試和評估比較困難，如何通過非破壞性的、設(shè)備相對簡單的測試方法對GaAs材料參數(shù)測試是本文主要研究和討論的問題。本文正是從這一原因入手結(jié)合項目開展了GaAs光電陰極表面光電壓測試和擴(kuò)散長度的研究，主要

2、內(nèi)容如下： 首先，介紹了GaAs光電陰極的發(fā)展和應(yīng)用，分析了光電壓譜測試技術(shù)在GaAs光電陰極材料測評中的優(yōu)越性與可行性，闡述了表面光電壓的產(chǎn)生以及表面光電壓測試技術(shù)的原理，論述了對GaAs光電陰極的擴(kuò)散長度進(jìn)行測試的方法。 其次，對GaAs光電壓譜測試系統(tǒng)的硬件和軟件進(jìn)行了改進(jìn)，重點(diǎn)對光源系統(tǒng)、信號采集部分和測試軟件進(jìn)行了改進(jìn)。設(shè)計定做了石英光纖束，提高了傳光效率；利用串口通信實現(xiàn)上位機(jī)和下位機(jī)的數(shù)據(jù)交換，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的