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文檔簡(jiǎn)介
1、GaAs基片是制備三代微光像增強(qiáng)器光電陰極的主要材料,其質(zhì)量對(duì)光電材料的量子效率、分辨率等關(guān)鍵參數(shù)有著至關(guān)重要的影響,GaAs光電陰極的針孔瑕疵是其質(zhì)量好壞的最直觀表現(xiàn),且成因復(fù)雜,對(duì)GaAs光電陰極品質(zhì)有重要影響。優(yōu)質(zhì)的GaAs外延材料是實(shí)現(xiàn)激活高靈敏度陰極的先決條件,是提高像增強(qiáng)器成品率的關(guān)鍵所在。本課題針對(duì)GaAs光電陰極缺陷進(jìn)行理論研究,并運(yùn)用數(shù)據(jù)庫(kù)對(duì)GaAs的表面缺陷進(jìn)行了數(shù)據(jù)分析,揭示其內(nèi)在聯(lián)系,從而改進(jìn)工藝,生產(chǎn)出性能更可
2、靠的產(chǎn)品。
本文介紹了GaAs光電陰極的制備及發(fā)展,結(jié)合GaAs光電陰極光電發(fā)射過程推導(dǎo)了反射式和透射式光電陰極的量子效率,結(jié)合公式分析了影響量子效率的關(guān)鍵參數(shù);結(jié)合缺陷能級(jí)分析了復(fù)合中心、陷阱效應(yīng)以及復(fù)合中心對(duì)電子壽命的影響;理論推導(dǎo)了俘獲截面對(duì)電子擴(kuò)散長(zhǎng)度和量子效率的影響,溫度是影響俘獲截面的關(guān)鍵因素;利用表面結(jié)構(gòu)模型,分析表面缺陷對(duì)電子親和勢(shì)、Cs/O激活模型的影響,得出對(duì)GaAs電子逸出幾率和量子效率的影響;利用數(shù)
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