GaAs光電陰極缺陷特性研究.pdf

1、GaAs基片是制備三代微光像增強器光電陰極的主要材料,其質(zhì)量對光電材料的量子效率、分辨率等關(guān)鍵參數(shù)有著至關(guān)重要的影響,GaAs光電陰極的針孔瑕疵是其質(zhì)量好壞的最直觀表現(xiàn),且成因復(fù)雜,對GaAs光電陰極品質(zhì)有重要影響。優(yōu)質(zhì)的GaAs外延材料是實現(xiàn)激活高靈敏度陰極的先決條件,是提高像增強器成品率的關(guān)鍵所在。本課題針對GaAs光電陰極缺陷進行理論研究,并運用數(shù)據(jù)庫對GaAs的表面缺陷進行了數(shù)據(jù)分析,揭示其內(nèi)在聯(lián)系,從而改進工藝,生產(chǎn)出性能更可

2、靠的產(chǎn)品。
　　 本文介紹了GaAs光電陰極的制備及發(fā)展,結(jié)合GaAs光電陰極光電發(fā)射過程推導(dǎo)了反射式和透射式光電陰極的量子效率,結(jié)合公式分析了影響量子效率的關(guān)鍵參數(shù);結(jié)合缺陷能級分析了復(fù)合中心、陷阱效應(yīng)以及復(fù)合中心對電子壽命的影響;理論推導(dǎo)了俘獲截面對電子擴散長度和量子效率的影響,溫度是影響俘獲截面的關(guān)鍵因素;利用表面結(jié)構(gòu)模型,分析表面缺陷對電子親和勢、Cs/O激活模型的影響,得出對GaAs電子逸出幾率和量子效率的影響;利用數(shù)