GAAS太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能電池李永富太陽(yáng)光輻射主要是以可見(jiàn)光為中心，分布于03微米至幾微米光譜范圍，對(duì)應(yīng)光子能量04EV4EV之間，總體來(lái)說(shuō)，理想太陽(yáng)能電池材料需要具備能帶在11EV17EV之間對(duì)應(yīng)光波長(zhǎng)范圍073113ΜM直接能帶半導(dǎo)體組成材料無(wú)毒性可利用薄膜沉積技術(shù)且可大...
下載價(jià)格：6 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-07 / 11人氣
化合物半導(dǎo)體材料GAAS和INP是微電子和光電子的基礎(chǔ)材料。晶體中的位錯(cuò)會(huì)大大降低晶體的電學(xué)和光學(xué)性能。位錯(cuò)的產(chǎn)生歸結(jié)于由溫度梯度引起的熱應(yīng)力。采用有限單元法數(shù)值求解了LEC法生長(zhǎng)GAAS、INP晶體以及LEFZ法生長(zhǎng)GAAS晶體中的熱應(yīng)力。GAAS、INP晶體均假設(shè)為穩(wěn)態(tài)軸對(duì)...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 所謂 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 16人氣
負(fù)電子親和勢(shì)砷化鎵GAAS光電陰極具有量子效率高，暗發(fā)射小，發(fā)射電子能量分布及角分布集中，長(zhǎng)波閾可調(diào)，長(zhǎng)波響應(yīng)擴(kuò)展?jié)摿Υ蟮葍?yōu)點(diǎn)，以它為核心的第三代微光像增強(qiáng)器大大擴(kuò)展了夜視儀器的長(zhǎng)波閾和視距，在微光夜視領(lǐng)域得到了普遍應(yīng)用。本文結(jié)合“十五”國(guó)防科技重點(diǎn)...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 獨(dú)行歸 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 6人氣
GAAS是一種非常重要的ⅢⅤ族直接帶隙化合物半導(dǎo)體材料，具有高的電子遷移率，優(yōu)良的光電性能，廣泛應(yīng)用于制造微波器件，紅外光電器件以及太陽(yáng)能電池。GAAS是非常重要的光電子與微電子材料，深受?chē)?guó)際關(guān)注，對(duì)于它的研究已經(jīng)成為當(dāng)前半導(dǎo)體科學(xué)領(lǐng)域的熱點(diǎn)。工業(yè)生產(chǎn)中...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 失心 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 6人氣
天津大學(xué)碩士學(xué)位論文GAAS基HBT器件及工藝研究姓名鄭堅(jiān)斌申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專(zhuān)業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師申云琴劉訓(xùn)春200111ABSTRACTINTHISPAPERTHEAPPLICATIONOFHBTINHIGHSPEEDCIRCUITANDRFICISDISCUSSED；THENTHEFUNDAMENT，THEBASICSTRUCTUREANDTHEMAINCLASSOF...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： admin / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-12 / 12人氣
負(fù)電子親和勢(shì)砷化鎵GAAS光電陰極具有量子效率高，暗發(fā)射小，發(fā)射電子能量分布及角分布集中，長(zhǎng)波閾可調(diào)，長(zhǎng)波響應(yīng)擴(kuò)展?jié)摿Υ蟮葍?yōu)點(diǎn)，在近幾十年中取得了迅猛發(fā)展，并在微光夜視領(lǐng)域得到了普遍應(yīng)用。目前在激活前對(duì)GAAS半導(dǎo)體材料參數(shù)的測(cè)試和評(píng)估比較困難，如何通過(guò)...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 一米陽(yáng)光一縷光線 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 10人氣
GAAS基片是制備三代微光像增強(qiáng)器光電陰極的主要材料其質(zhì)量對(duì)光電材料的量子效率、分辨率等關(guān)鍵參數(shù)有著至關(guān)重要的影響GAAS光電陰極的針孔瑕疵是其質(zhì)量好壞的最直觀表現(xiàn)且成因復(fù)雜對(duì)GAAS光電陰極品質(zhì)有重要影響。優(yōu)質(zhì)的GAAS外延材料是實(shí)現(xiàn)激活高靈敏度陰極的先決條件...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 離我而去 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 6人氣
隨著全球科技快速發(fā)展，當(dāng)今世界已經(jīng)進(jìn)入了高速信息時(shí)代，光電技術(shù)在信息時(shí)代的科技發(fā)展中有著至關(guān)重要的地位，而在光電技術(shù)的發(fā)展中，半導(dǎo)體材料憑借著其良好的性能特點(diǎn)占據(jù)了很重要的地位，并迅速地?cái)U(kuò)大著它的應(yīng)用領(lǐng)域。在半導(dǎo)體材料中，ⅢⅤ族化合物又占了很大的...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 既生非何生萌 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 7人氣
隨著雷達(dá)以及微波技術(shù)的發(fā)展對(duì)中頻開(kāi)關(guān)的性能提出了越來(lái)越高的要求主要是在高隔離度低損耗的前提下提高開(kāi)關(guān)速度GAAS中頻開(kāi)關(guān)具有開(kāi)關(guān)速度快損耗小隔離度高驅(qū)動(dòng)功耗幾乎為零體積小等特點(diǎn)能夠滿足人們的要求為了充分發(fā)揮GAAS開(kāi)關(guān)的速度性能提高GAAS微波開(kāi)關(guān)的使用靈活...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 愛(ài)與理想 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 5人氣
用半導(dǎo)體光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)PHOTOCONDUCTIVESEMICONDUCTSWITCHES簡(jiǎn)稱(chēng)PCSS’S產(chǎn)生的超短電磁脈沖可應(yīng)用于雷達(dá)、通信、THZ成像等技術(shù)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)相比PCSS’S具有開(kāi)關(guān)速度快、觸發(fā)無(wú)晃動(dòng)、寄生電感電容小、高重復(fù)頻率、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊等特點(diǎn)。在觸發(fā)光脈沖一定的情況下半導(dǎo)體...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 沾花惹草說(shuō)愛(ài)你 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-11 / 5人氣
1965年，光電發(fā)射領(lǐng)域出現(xiàn)了一種新型的光電發(fā)射材料GAASCS。它具有很多優(yōu)點(diǎn)，例如高量子效率、高靈敏度以及較小的暗發(fā)射。因此這種新型的光電發(fā)射材料引起了國(guó)內(nèi)外的廣泛重視。此后，ⅢⅤ族化合物GAAS、GAN、INP等光電發(fā)射材料制備的負(fù)電子親和勢(shì)NEA光電陰極，便成為...
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砷化鎵微波功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管GAASMESFET是一種在電子行業(yè)中廣泛應(yīng)用的化合物半導(dǎo)體器件，它對(duì)微波功率器件和集成電路的發(fā)展具有很重要的影響。但是，國(guó)內(nèi)GAASMESFET柵漏擊穿電壓BVGD普遍偏低，一般僅為10V左右，這嚴(yán)重影響了器件的輸出功率和可靠性。因此，研制高BVGD...
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點(diǎn)擊查看更多“InP-GaAs、GaAs-Si、InP-GaAs-Si異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)及其在集成光電子器件中的應(yīng)用.pdf”精彩內(nèi)容。
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 氣質(zhì) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 7人氣
貴州大學(xué)2015屆碩士研究生學(xué)位論文ALGAAS/GAAS薄膜的基本表征學(xué)科專(zhuān)業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)研究方向低維半導(dǎo)體材料導(dǎo)師丁召（教授）研究生王一中國(guó)﹒貴州﹒貴陽(yáng)2015年5月分類(lèi)號(hào)O793TN3011論文編號(hào)2012021051密級(jí)公開(kāi)
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隨著國(guó)際形勢(shì)的日益多變各個(gè)國(guó)家已經(jīng)把自己的軍用武器列入了各自的保密范疇。晶體管放大器作為微波領(lǐng)域最常見(jiàn)的模塊已被列為重點(diǎn)保密對(duì)象。如相控陣?yán)走_(dá)收發(fā)前端等大功率微波模塊所用到的晶體管芯片已經(jīng)對(duì)我國(guó)實(shí)施了禁運(yùn)限制。為了研究出自主創(chuàng)新的放大器模塊我們有...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 無(wú)人相候 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-08 / 1人氣
NGAAS是一種典型的半導(dǎo)體材料，廣泛地應(yīng)用于探測(cè)器和耿氏效應(yīng)管等方面，于是NGAAS的混沌研究對(duì)相關(guān)器件的制備和應(yīng)用具有理論指導(dǎo)作用。本文首先簡(jiǎn)述了混沌的基本知識(shí)及混沌控制的主要方法、GAAS的能帶結(jié)構(gòu)及載流子輸運(yùn)特性。然后，對(duì)于直流和交流共同偏置的NGAAS，利...
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隨著微波集成電路的發(fā)展更高頻率和帶寬是功率MMIC的主要研究方向GAAS毫米波寬帶功率MMIC具有小型化、輕量化、高可靠性、強(qiáng)抗干擾能力、精確跟蹤和測(cè)量能力等特點(diǎn)可廣泛用于電子對(duì)抗、雷達(dá)制導(dǎo)等武器裝備及民用衛(wèi)星和通訊系統(tǒng)。通過(guò)1838GHZ100MW功率單片2040GHZ300MW...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 是我太乖 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-10 / 5人氣
論文的主要工作如下1對(duì)鍵合技術(shù)的歷史、現(xiàn)狀鍵合的方法以及鍵合技術(shù)在不同領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用進(jìn)行了系統(tǒng)的總結(jié)2由于GAAS、INP晶片表面平整度和潔凈度對(duì)晶片的鍵合質(zhì)量以及實(shí)現(xiàn)低溫鍵合有著重要的影響所以我們從理論上對(duì)平整度和潔凈度的影響進(jìn)行了總結(jié)并通過(guò)反復(fù)實(shí)驗(yàn)優(yōu)選出...
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掃描近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡SNOM是一種能探測(cè)納米尺寸的新型顯微工具。這種顯微鏡利用局限在微小孔徑上的隱失場(chǎng)提供物體表面形貌的細(xì)節(jié)，其分辨率可突破傳統(tǒng)光學(xué)的衍射極限。它的問(wèn)世不僅會(huì)促進(jìn)物理、化學(xué)、生物和材料等學(xué)科的研究與發(fā)展，還將引起信息技術(shù)和生命科學(xué)的變革...
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人類(lèi)通信需求量的急劇增長(zhǎng)是光纖通信系統(tǒng)發(fā)展的潛在驅(qū)動(dòng)力，而新一代光纖通信系統(tǒng)的發(fā)展必然要以新型通信光電子器件作為支撐。當(dāng)前通信光電子器件正處于由分立轉(zhuǎn)向集成的重大變革時(shí)期，而通信光電子集成器件研究所面臨的最突出問(wèn)題是半導(dǎo)體材料兼容、結(jié)構(gòu)兼容和工藝...
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