CMOS光電耦合集成電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、光電耦合器是市場上常見的一種電子器件，其應(yīng)用范圍非常廣泛，光電耦合作為光電子領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn)不斷取得技術(shù)上的進(jìn)步，光電耦合器的產(chǎn)品線也隨著市場的不斷拓展而變得越來越豐富。
　　硅基集成光電耦合器具有集成度高、成本低、便于封裝等特點(diǎn)，是光電耦合器設(shè)計(jì)領(lǐng)域的一個(gè)重要分支。硅基單片集成光電耦合器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)在于工藝限制了光電探測器的設(shè)計(jì)靈活度，光生電流以“慢電流”為主，這就限制了光電探測器的速度。光電探測器采用插指型結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)在一定程度

2、上提高了光生“快載流子”所占的比重，提高了探測器的響應(yīng)速度。由于光電探測器的寄生電容很大，而跨阻放大器的探測器直接連接，所以電路設(shè)計(jì)中面臨的主要問題是如何提高跨阻放大器的帶寬以提高整個(gè)芯片的速度。為了便于測試，本文特別設(shè)計(jì)了測試模塊，用于檢測測試過程中可能遇到的問題。
　　光電耦合器的主要指標(biāo)包括功耗、延遲時(shí)間、傳輸速率等，提高光電探測器性能需要分別從光探測器和信號處理電路兩方面考慮。本文根據(jù)具體應(yīng)用需求，設(shè)計(jì)一款基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS