數(shù)字半導(dǎo)體測(cè)試的基本原理

1、目錄目錄第一章第一章.認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體和測(cè)試設(shè)備認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體和測(cè)試設(shè)備..............................................................................................2一、晶圓、晶片和封裝一、晶圓、晶片和封裝..........................................................................

2、..........................2二、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備二、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備............................................................................................................6三、半導(dǎo)體技術(shù)三、半導(dǎo)體技術(shù)......................................................

3、..........................................................7四、數(shù)字和模擬電路四、數(shù)字和模擬電路........................................................................................................7五、測(cè)試系統(tǒng)的種類五、測(cè)試系統(tǒng)的種類....................

4、....................................................................................8六、測(cè)試負(fù)載板六、測(cè)試負(fù)載板(LoadBoard).......................................................................................11七、探針卡（七、探針卡（ProbeCard

5、）..........................................................................................12第二章第二章.半導(dǎo)體測(cè)試基礎(chǔ)半導(dǎo)體測(cè)試基礎(chǔ)........................................................................................................13

6、一、基礎(chǔ)術(shù)語(yǔ)一、基礎(chǔ)術(shù)語(yǔ)..................................................................................................................13二、正確的測(cè)試方法二、正確的測(cè)試方法..........................................................................

7、............................14三、測(cè)試系統(tǒng)三、測(cè)試系統(tǒng)..................................................................................................................16四、四、PMU.......................................................

8、.................................................................18五、管腳電路五、管腳電路..................................................................................................................21第三章第三章.基于基于PMU的開(kāi)短路測(cè)試的開(kāi)短路測(cè)

9、試.........................................................................................25一、測(cè)試目的一、測(cè)試目的..................................................................................................................25

10、二、測(cè)試方法二、測(cè)試方法..................................................................................................................25第四章第四章.DC參數(shù)測(cè)試參數(shù)測(cè)試...........................................................................

11、...................................29一、基本術(shù)語(yǔ)一、基本術(shù)語(yǔ)..................................................................................................................29二、二、Binning............................................

12、........................................................................29三、三、ProgramFlow.........................................................................................................30四、四、TestSummary.........

13、...............................................................................................31五、五、DC測(cè)試與隱藏電阻測(cè)試與隱藏電阻...............................................................................................32六、六、VO

14、HIOH................................................................................................................33七、七、VOLIOL............................................................................................

15、....................36八、八、IDDGrossCurrent................................................................................................39九、九、IDDStaticCurrent.............................................................

16、...................................42十、十、IDDQ......................................................................................................................44十一、十一、IDDDynamicCurrent................................

17、.......................................................44十二、入電流（十二、入電流（IILIIH）測(cè)試）測(cè)試....................................................................................47十三、輸入結(jié)構(gòu)－高阻十三、輸入結(jié)構(gòu)－高阻上拉上拉下拉下拉.......................

18、........................................................53十四、輸出扇出十四、輸出扇出..............................................................................................................54十五、高阻電流（十五、高阻電流（HighImpedanceCurrent

19、sIOZHIOZL）.................................55十六、輸出短路電流（十六、輸出短路電流（outputshtcircuitcurrent）..............................................58第五章功能測(cè)試第五章功能測(cè)試.....................................................................

20、.............................................62一、基礎(chǔ)術(shù)語(yǔ)一、基礎(chǔ)術(shù)語(yǔ)..................................................................................................................62二、功能測(cè)試二、功能測(cè)試.................................

21、.................................................................................62三、測(cè)試周期三、測(cè)試周期..................................................................................................................63四、輸入數(shù)據(jù)四、輸

22、入數(shù)據(jù)..................................................................................................................64五、輸出數(shù)據(jù)五、輸出數(shù)據(jù).........................................................................................

23、.........................66六、功能測(cè)試參數(shù)定義六、功能測(cè)試參數(shù)定義..................................................................................................70七、總功能測(cè)試（七、總功能測(cè)試（GrossFunctionTest）.......................................

24、............................71第一章第一章.認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體和測(cè)試設(shè)備認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體和測(cè)試設(shè)備本章節(jié)包括以下內(nèi)容，?晶圓（Wafers）、晶片（Dice）和封裝（Packages）?自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）的總體認(rèn)識(shí)?模擬、數(shù)字和存儲(chǔ)器測(cè)試等系統(tǒng)的介紹?負(fù)載板（Loadboards）、探測(cè)機(jī)（Probers）、機(jī)械手（Hlers）和溫度控制單元（Temperatureunits）一、晶圓、晶片和封裝一、晶圓、晶片和封裝

25、1947年，第一只晶體管的誕生標(biāo)志著半導(dǎo)體工業(yè)的開(kāi)始，從那時(shí)起，半導(dǎo)體生產(chǎn)和制造技術(shù)變得越來(lái)越重要。以前許多單個(gè)的晶體管現(xiàn)在可以互聯(lián)加工成一種復(fù)雜的集成的電路形式，這就是半導(dǎo)體工業(yè)目前正在制造的稱之為“超大規(guī)模“（VLSI，VeryLargeScaleIntegration）的集成電路，通常包含上百萬(wàn)甚至上千萬(wàn)門晶體管。半導(dǎo)體電路最初是以晶圓形式制造出來(lái)的。晶圓是一個(gè)圓形的硅片，在這個(gè)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)之上，建立了許多獨(dú)立的單個(gè)的電路；一片晶