用cmos傳輸門(mén)和cmos非門(mén)設(shè)計(jì)邊沿d觸發(fā)器

1、Wd格式完美整理《數(shù)字電子技術(shù)》研究性學(xué)習(xí)《數(shù)字電子技術(shù)》研究性學(xué)習(xí)用CMOSCMOS傳輸門(mén)和傳輸門(mén)和CMOSCMOS非門(mén)設(shè)計(jì)非門(mén)設(shè)計(jì)邊沿邊沿D觸發(fā)器觸發(fā)器姓名：名：賈嵐婷賈嵐婷學(xué)號(hào)：號(hào)：1321115313211153班級(jí)：級(jí)：通信通信13071307指導(dǎo)老師：指導(dǎo)老師：侯建軍侯建軍時(shí)間：間：20152015年1212月1日Wd格式完美整理摘要：摘要：本文主要研究了用CMOS傳輸門(mén)和CMOS非門(mén)設(shè)計(jì)邊沿D觸發(fā)器。首先分析CMOS傳輸門(mén)

2、和CMOS與非門(mén)原理；然后設(shè)計(jì)出CMOS傳輸門(mén)和CMOS非門(mén)設(shè)計(jì)邊沿D觸發(fā)器；闡述電路工作原理；寫(xiě)出特征方程，畫(huà)出特征表，激勵(lì)表與狀態(tài)圖；計(jì)算出激勵(lì)信號(hào)D的保持時(shí)間和時(shí)鐘CP的最大頻率；將設(shè)計(jì)的D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成JK觸發(fā)器和T觸發(fā)器，最后對(duì)CMOS構(gòu)成的D觸發(fā)器進(jìn)行辨證分析。關(guān)鍵詞：CMOS傳輸門(mén)；CMOS非門(mén)；邊沿D觸發(fā)器；1.1.結(jié)構(gòu)圖以及功能結(jié)構(gòu)圖以及功能1.11.1CMOSCMOS傳輸門(mén)傳輸門(mén)圖1傳輸門(mén)的結(jié)構(gòu)圖原理：所謂傳輸門(mén)（TG

3、）就是一種傳輸模擬信號(hào)的模擬開(kāi)關(guān)。CMOS傳輸門(mén)由一個(gè)P溝道和一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管并聯(lián)而成，如上圖所示。設(shè)它們的開(kāi)啟電壓|VT|=2V且輸入模擬信號(hào)的變化范圍為0V到5V。為使襯底與漏源極之間的PN結(jié)任何時(shí)刻都不致正偏，故T2的襯底接5V電壓，而T1的襯底接地。傳輸門(mén)的工作情況如下：當(dāng)C端接低電壓0V時(shí)T1的柵壓即為0V，vI取0V到5V范圍內(nèi)的任意值時(shí)，TN均不導(dǎo)通。同時(shí)TP的柵壓為5V，TP亦不導(dǎo)通?？梢?jiàn)，當(dāng)C端接低電壓時(shí)，開(kāi)關(guān)

4、是斷開(kāi)的。為使開(kāi)關(guān)接通，可將C端接高電壓5V。此時(shí)T1的柵壓為5V，vI在0V到3V的范圍內(nèi)，TN導(dǎo)通。同時(shí)T2的棚壓為5V，vI在2V到5V的范圍內(nèi)T2將導(dǎo)通。由上分析可知，當(dāng)vI＜3V時(shí)，僅有T1導(dǎo)通，而當(dāng)vI＞3V時(shí)，僅有T2導(dǎo)通當(dāng)vI在2V到3V的范圍內(nèi)，T1和T2兩管均導(dǎo)通。進(jìn)一步分析還可看到，一管導(dǎo)通的程度愈深，另一管的導(dǎo)通程度則相應(yīng)地減小。換句話說(shuō)，當(dāng)一管的導(dǎo)通電阻減小，則另一管的導(dǎo)通電阻就增加。由于兩管系并聯(lián)運(yùn)行，可近似