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1、第 11 章 刻 蝕,去膠,,,顯影(第 1 次圖形轉(zhuǎn)移),刻蝕(第 2 次圖形轉(zhuǎn)移),,選擇曝光,對(duì)刻蝕的要求,1、適當(dāng)?shù)目涛g速率 通常要求刻蝕速率為每分鐘幾十到幾百納米。,2、刻蝕的均勻性好(片內(nèi)、片間、批次間) 刻蝕均勻性一般為 。大量或大面積硅片同時(shí)刻蝕時(shí),刻蝕速率會(huì)減小,這稱為刻蝕的 負(fù)載效應(yīng)。,3、選擇比大 選擇比指對(duì)不同材料的刻蝕速率的比值。,4、鉆蝕小,
2、5、對(duì)硅片的損傷小,6、安全環(huán)保,鉆蝕(undercut)現(xiàn)象,對(duì)刻蝕速率的各向異性的定量描述,式中,RL 和 RV 分別代表橫向刻蝕速率和縱向刻蝕速率。,A = 1 表示理想的各向異性,無(wú)鉆蝕;A = 0 表示各向同性,有嚴(yán)重的鉆蝕。,刻蝕技術(shù),濕法干法,化學(xué)刻蝕電解刻蝕,,,,離子銑刻蝕(物理作用)等離子體刻蝕(化學(xué)作用)反應(yīng)離子刻蝕(物理化學(xué)作用),刻蝕技術(shù)的種類,與濕法化學(xué)刻蝕相比,干法刻蝕對(duì)溫度不那么敏感,工藝重
3、復(fù)性好;有一定的各向異性;等離子體中的顆粒比腐蝕液中的少得多;產(chǎn)生的化學(xué)廢物也少得多。,11.1 濕法刻蝕 濕法刻蝕是一種純粹的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。,優(yōu)點(diǎn) 1、應(yīng)用范圍廣,適用于幾乎所有材料; 2、選擇比大,易于光刻膠的掩蔽和刻蝕終點(diǎn)的控制; 3、操作簡(jiǎn)單,成本低,適宜于大批量加工。,缺點(diǎn) 1、為各向同性腐蝕,容易出現(xiàn)鉆蝕; 2、由于液體存在表面
4、張力,不適宜于腐蝕極細(xì)的線條; 3、化學(xué)反應(yīng)時(shí)往往伴隨放熱與放氣,導(dǎo)致腐蝕不均勻。,常用腐蝕液舉例 1、SiO2 腐蝕液 BHF:28 ml HF + 170 ml H2O + 113 g NH4F 2、Si 腐蝕液 Dash etch: 1 ml HF + 3 ml HNO3 + 10 ml CH3COOH Sirtl etch: 1
5、 ml HF + 1 ml CrO3 ( 5 M 水溶液 ) Silver etch: 2 ml HF + 1 ml HNO3 + 2 ml AgNO3(0.65 M 水溶液),(用于檢測(cè)外延層缺陷) Wright etch: 60 ml HF + 30 ml HNO3 + 60 ml CH3COOH + 60 ml H2O + 30 ml CrO3 ( 1g in 2 ml H2O ) + 2
6、g (CuNO3)23H2O ,(此腐蝕液可長(zhǎng)期保存),3、Si3N4 腐蝕液 HF H3PO4 ( 140oC ~ 200oC ) 4、Al 腐蝕液 4 ml H3PO4 + 1ml HNO3 + 4 ml CH3COOH + 1ml H2O , (35 nm/min) 0.1M K2Br4O7 + 0.51 M KOH + 0.6
7、 M K3Fe(CN)6 , (1 ?m/min ,腐蝕時(shí)不產(chǎn)生氣泡) 5、Au 腐蝕液 王水:3 ml HCl + 1ml HNO3 ,(25 ~ 50 ?m/min) 4g KI +1g I + 40 ml H2O(0.5 ~ 1 ?m/min,不損傷光刻膠),11.3 干法刻蝕基本分類,,等離子體刻蝕(化學(xué)作用)反應(yīng)離子刻蝕(物理化學(xué)作用)離子銑刻蝕(物理作用)
8、,11.4 等離子體刻蝕,一、等離子體刻蝕機(jī)理 在低溫等離子體中 ,除了含有電子和離子外,還含有大量處于 激發(fā)態(tài)的游離基 和 化學(xué)性質(zhì)活潑的中性原子團(tuán)。正是利用游離基和中性原子團(tuán)與被刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng) ,來(lái)達(dá)到刻蝕的目的 。對(duì)硅基材料的基本刻蝕原理 是用 “ 硅--鹵 ” 鍵代替 “ 硅--硅 ” 鍵 ,從而產(chǎn)生揮發(fā)性的硅鹵化合物。,刻蝕硅基材料時(shí)的刻蝕氣體有 CF4、C2F6 和 SF6 等。其中最常用的是 CF4
9、 。,CF4 本身并不會(huì)直接刻蝕硅。等離子體中的高能電子撞擊CF4 分子使之裂解成 CF3 、CF2 、C 和 F ,這些都是具有極強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)性的原子團(tuán)。,CF4 等離子體對(duì) Si 和 SiO2 有很高的刻蝕選擇比,室溫下可高達(dá) 50,所以很適合刻蝕 SiO2 上的 Si 或多晶 Si 。,在 CF4 中摻入少量其它氣體可改變刻蝕選擇比。摻入少量氧氣可提高對(duì) Si 的刻蝕速率 ;摻入少量氫氣則可提高對(duì) SiO2的刻蝕速率,從而適合刻蝕
10、Si 上的 SiO2。,二、等離子體刻蝕反應(yīng)器 1、圓筒式反應(yīng)器 這種反應(yīng)器最早被用于去膠,采用的刻蝕氣體是 O2 。后來(lái)又利用 F 基氣體來(lái)刻蝕硅基材料 。屏蔽筒的作用是避免晶片與等離子體接觸而產(chǎn)生損傷,同時(shí)可使刻蝕均勻。,,典型工藝條件 射頻頻率:13.56 MHz 射頻功率:300 ~ 600 W 工作氣體: O2(去膠)
11、 F 基(刻蝕 Si、Poly-Si、Si3N4 等) F 基 + H2(刻蝕 SiO2 等) 氣壓(真空度):0.1 ~ 10 Torr 分辨率:2 ?m,1、為各向同性腐蝕,存在側(cè)向鉆蝕,分辨率不高;,3、均勻性差;,
12、4、不適于刻蝕 SiO2 和 Al。,筒式等離子體刻蝕反應(yīng)器的 缺點(diǎn),2、負(fù)載效應(yīng)大,刻蝕速率隨刻蝕面積的增大而減?。?2、平板式反應(yīng)器,射頻源,陰極,陽(yáng)極,氣體,硅片放在陽(yáng)極上。這種刻蝕以化學(xué)刻蝕為主,也有微弱的物理濺射刻蝕作用。離子的能量可以促進(jìn)原子團(tuán)與硅片之間的化學(xué)反應(yīng),提高刻蝕速率,同時(shí)使刻蝕具有一定的各向異性,使分辨率有所提高。,非揮發(fā)性的反應(yīng)產(chǎn)物在側(cè)壁的淀積也可實(shí)現(xiàn)一定程度的各向異性刻蝕。,典型工藝條件 射頻
13、頻率:13.56 MHz 工作氣體:F 基、Cl 基(可加少量 He、Ar、H2、O2 等) 氣壓:10-2 ~ 1 Torr 分辨率:0.5 ~ 1 ?m,離子銑刻蝕 又稱為 離子束濺射刻蝕。,11.5 離子銑,一、離子濺射刻蝕機(jī)理,一次濺射:入射離子直接將晶格位置上的原子碰撞出來(lái)。,
14、入射離子以高速撞擊固體表面,當(dāng)傳遞給固體原子的能量超過(guò)其結(jié)合能(幾到幾十電子伏特)時(shí),固體原子就會(huì)脫離其晶格位置而被濺射出來(lái)。這是一種 純粹的物理過(guò)程。,二次濺射:被入射離子碰撞出來(lái)的晶格原子,若具有足夠的能量時(shí),可再將其它晶格原子碰撞出來(lái)。,選擇離子的原則,令 ,可得 ,且 ,這時(shí)靶原子可獲得最大能量,即
15、 。所以為獲得最好的濺射效果,應(yīng)選擇入射離子使其質(zhì)量盡可能接近靶原子。,1、質(zhì)量 質(zhì)量為 M2 的靶原子從質(zhì)量為 M1 的入射離子獲得的能量為,2、要求入射離子對(duì)被刻蝕材料的影響盡量小,3、容易獲得,例如,若要對(duì) SiO2 進(jìn)行濺射加工,根據(jù)要求 2,入射離子應(yīng)在惰性氣體離子 Ar+、Kr+ 和 Xe+ 中選擇,又因 Si 原子和 O2 分子的原子量分別是 28 和 32,而 Ar+、Kr+ 和 Xe+ 的原子量分別是
16、 40、84 和 131,所以采用 Ar+ 離子的效果是最好的。而且Ar+ 離子也是相對(duì)比較容易獲得的。,相對(duì)濺射率:在單位離子束電流密度下,單位時(shí)間內(nèi)加工表面的減薄量,記為,濺射率與入射角的關(guān)系 入射角:靶平面法線與入射離子束的夾角,記為 。 濺射率:由一個(gè)入射離子濺射出來(lái)的原子或分子的數(shù)目,也稱為濺射產(chǎn)率,記為 S 。濺射率 S 是入射角 的函數(shù)。,0,30o,60o,90o,式中,n 代
17、表被濺射材料的原子密度。,濺射率與離子能量的關(guān)系,式中,V0 為臨界電壓,對(duì)金屬靶約為 25 V 。,入射離子能量更高時(shí),離子將進(jìn)入固體內(nèi)較深的區(qū)域,這時(shí)表面濺射反而減小,成為 離子注入 。,幾種常用材料的相對(duì)濺射率(條件:Ar+,1 kV,1mA/cm2,5×10-5 Torr,單位 nm/min) Si : 36, GaAs : 260, SiO2 (熱氧化)
18、 : 42, Al : 44, Au : 160, Cr : 20, KTER : 39, AZ1350 : 60, PMMA : 84, 上述數(shù)據(jù)說(shuō)明,離子濺射的選擇比很差。,2、掩模方式離子束濺射刻蝕 通常采用光刻膠作掩模。有兩種類型的刻蝕裝置。 (1) 離子源與加工
19、室分離的,如考夫曼型,離子源氣壓為 10-2 ~ 10-4 Torr ,加工室氣壓為 10-5 ~ 10-7 Torr。 (2) 離子源與加工室一體的,如射頻型,氣壓為 10-2 Torr。,二、離子束濺射刻蝕裝置,1、聚焦方式離子束濺射刻蝕 設(shè)備的基本原理與聚焦離子束曝光裝置相同,離子源通常采用 LMIS。也可采用等離子體型,離子通常用 Ar+。 優(yōu)點(diǎn):無(wú)需掩模與光刻膠,刻蝕深度范圍大。
20、 缺點(diǎn):刻蝕效率低,設(shè)備復(fù)雜昂貴。,接地電極(陽(yáng)極),等離子體區(qū)(亮區(qū)),電位降區(qū)(暗區(qū)),浮空電極(陰極),射頻發(fā)生器,,,工作原理(以射頻型為例),典型工藝條件 射頻頻率:13.56 MHz 直流偏壓:50 ~ 3000 V 工作氣體(離子):Ar 氣壓(真空度):約 10-2 Torr
21、 分辨率:0.1 ?m,三、離子束濺射刻蝕的特點(diǎn) 優(yōu)點(diǎn) 1、入射離子有很強(qiáng)的方向性,為各向異性刻蝕,無(wú)側(cè)向鉆蝕,刻蝕分辨率高; 2、能刻蝕任何材料,一次能刻蝕多層材料; 3、刻蝕在高真空中進(jìn)行,刻蝕過(guò)程不易受污染。,缺點(diǎn),1、選擇比差,對(duì)不同材料的刻蝕速率的差別小于 3 倍,對(duì)光刻膠及下層材料的選擇比常接近于 1 : 1,甚至對(duì)光刻膠的刻蝕速率更
22、快 。選擇比差的后果是,第一,當(dāng)采用掩模方式時(shí),刻蝕深度受到限制;第二,刻蝕終點(diǎn)難以控制,容易損傷下層材料。,2、刻蝕速度慢,效率低,4、有再淀積效應(yīng),3、有側(cè)向刻蝕,5、圖形邊緣出現(xiàn)溝槽,簡(jiǎn)稱為 RIE,但是其更恰當(dāng)?shù)拿Q應(yīng)該是離子輔助刻蝕。,11.6 反應(yīng)離子刻蝕,反應(yīng)離子刻蝕裝置可分為平板式與六角形式。與平板式等離子體刻蝕相比,區(qū)別是將硅片放在陰極上,而等離子體刻蝕是將硅片放在陽(yáng)極上。與離子銑刻蝕相比,區(qū)別是要通入腐蝕性氣體如 C
23、l 基、F 基氣體,而離子銑刻蝕用的是惰性氣體。,陰極,多孔陽(yáng)極,射頻源,氣體,反應(yīng)離子刻蝕具有等離子體刻蝕的刻蝕速率快的優(yōu)點(diǎn),而且比等離子體刻蝕還要快,同時(shí)又具有離子銑刻蝕的各向異性因而分辨率高的優(yōu)點(diǎn)。,離子的轟擊起到了多種作用。1、離子轟擊提供的能量提高了表面層的化學(xué)活性;2、離子轟擊可使反應(yīng)氣體更容易穿透表面的阻礙物而達(dá)到反應(yīng)層;3、還有輕微的物理濺射刻蝕作用。由于離子轟擊的方向性,遭受離子轟擊的底面比未遭受離子轟擊的側(cè)面的刻蝕要
24、快得多。,當(dāng)使用某些混合氣體如 BCl3、CCl4、SiCl4 ,反應(yīng)過(guò)程會(huì)在側(cè)壁上形成保護(hù)性的聚合物薄膜,進(jìn)一步提高了各向異性。,典型工藝條件 射頻頻率:13.56 MHz 工作氣體:Cl 基、F 基 氣壓:10-1 ~ 10-3 Torr 分辨率:0.1 ~ 0.2 ?m 刻蝕速率:100 ~ 200 nm/min,11.8 高密度等離子體(HDP)刻蝕,提高刻蝕
25、速率的方法之一是提高等離子體的密度。若對(duì)等離子體施加額外的電場(chǎng)與磁場(chǎng),可以急劇增加自由電子的碰撞幾率,在相同或者更低的氣壓與功率下增加離化率,從而提高等離子體的密度。,最早用于刻蝕的高密度等離子體是電子回旋共振等離子體(ECR),而現(xiàn)在用得最多的是電感耦合等離子體(ICP)。,高密度等離子體能夠提供高濃度低能量的離子,因而能在提高刻蝕速率的同時(shí),減少刻蝕時(shí)的沾污,降低刻蝕損傷。,11.9 剝離技術(shù),剝離工藝可用于制造 IC 的金屬互連線
26、。,曝光,顯影,淀積金屬,去膠,剝離工藝中,當(dāng)采用正膠時(shí),獲得的金屬圖形與掩模版上的圖形相反,這與采用負(fù)膠及刻蝕工藝所得到的結(jié)果相同。,光刻膠的剖面輪廓有 頂切式、底切式 和 直壁式 三種。,對(duì)于剝離工藝,為了使有膠區(qū)和無(wú)膠區(qū)的金屬薄膜很好地分離,希望獲得底切式的輪廓。對(duì) PMMA 正性光刻膠在采取雙層膠技術(shù)或氯苯浸泡等一些特殊措施后 ,可以形成底切式 ,而且膠膜較厚,所以在剝離工藝中常采用 PMMA 膠。,頂切式,底切式,直壁式,物理
27、刻蝕為各向異性,無(wú)鉆蝕,分辨率好; 化學(xué)刻蝕為各向同性,有鉆蝕,分辨率差。 物理刻蝕的選擇比?。换瘜W(xué)刻蝕的選擇比大。 可以通過(guò)調(diào)節(jié)工作氣體的種類、氣壓、電極方式和電壓等來(lái)控制刻蝕剖面的形狀和選擇比。,11.10 小結(jié),1、工作氣體 若只采用 Ar 等惰性氣體,則發(fā)生純物理的濺射刻蝕;若只采用 F 基、Cl 基等活潑氣體 ,則發(fā)生純化學(xué)的等離子體刻蝕 。而混合氣體的刻蝕速率遠(yuǎn)
28、大于兩類單一氣體刻蝕速率之和。,2、氣壓 氣壓越低,物理作用越強(qiáng);氣壓越高,化學(xué)作用越強(qiáng)。,3、電極 若晶片置于陰極,則物理作用較強(qiáng);若晶片置于陽(yáng)極,則物理作用較弱;在圓筒式反應(yīng)器中,晶片不置于電極上,則無(wú)物理作用。,4、電壓 電壓越高,物理作用越強(qiáng);電壓越低,物理作用越弱。,各種干法刻蝕方法比較,習(xí) 題 1、在下面的 2 種應(yīng)用中,應(yīng)該使用等離子體刻蝕設(shè)備,還是離子銑刻
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