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文檔簡介
1、隨著MEMS傳感器應(yīng)用越來越普及,在對其加工工藝的要求也在不斷提高。作為MEMS器件加工的一項關(guān)鍵技術(shù)—ICP刻蝕技術(shù),因其刻蝕過程自動化程度高、刻蝕側(cè)壁垂直度好、大面積刻蝕均勻性好及污染少等優(yōu)點,目前被廣泛應(yīng)用于體硅MEMS工藝中的高深寬比刻蝕。但是由于ICP刻蝕技術(shù)的機理比較復(fù)雜,影響刻蝕結(jié)果的工藝參數(shù)較多,所以ICP刻蝕技術(shù)總體上還不夠成熟,具體表現(xiàn)在沒有具體的ICP刻蝕仿真工具軟件,刻蝕工藝參數(shù)不易調(diào)整,對刻蝕結(jié)果的預(yù)測不夠準(zhǔn)確
2、等,所以現(xiàn)在工藝上主要通過大量的實驗來對參數(shù)進(jìn)行調(diào)整、驗證及改進(jìn),已達(dá)到刻蝕的要求。
本論文是在本課題組前期對不同形貌結(jié)構(gòu)的刻蝕工藝進(jìn)行研究的基礎(chǔ)上,在設(shè)計溫度傳感器梳齒結(jié)構(gòu)的加工過程中,確立的ICP刻蝕工藝實驗?zāi)康募肮に噮?shù)調(diào)整的方向。實驗首先研究ICP刻蝕的各參數(shù)對其刻蝕結(jié)果的影響,重點研究刻蝕/鈍化周期、氣體流量、極板功率和偏置電壓等條件因素對刻蝕結(jié)果產(chǎn)生的影響,最后采用正交實驗法設(shè)計實驗方案。分別優(yōu)化得到了三種尺寸槽寬
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