GaAs光電陰極材料光電壓譜測(cè)試技術(shù)研究.pdf_第1頁
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1、負(fù)電子親和勢(shì)砷化鎵(GaAs)光電陰極具有量子效率高，暗發(fā)射小，發(fā)射電子能量分布及角分布集中，長(zhǎng)波閾可調(diào)，長(zhǎng)波響應(yīng)擴(kuò)展?jié)摿Υ蟮葍?yōu)點(diǎn)，由于其優(yōu)越的性能，在近幾十年中取得了迅猛發(fā)展，并在微光夜視領(lǐng)域得到了普遍應(yīng)用。 在GaAs光電陰極的研究中，能否建立有效嚴(yán)格的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)將對(duì)GaAs光電陰極的研究進(jìn)展產(chǎn)生重要影響。本文正是從這一原因入手結(jié)合項(xiàng)目開展了GaAs光電陰極表面光電壓測(cè)試技術(shù)的研究，主要內(nèi)容如下： 首先，介紹GaAs光

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