簡介：本文針對復雜裝備能耗高而裝備本身功能復雜、結構復雜、約束關系復雜、變量多且相互耦合，難以用傳統(tǒng)設計方法進行低能耗化設計的問題，提出了基于歷史數(shù)據(jù)的復雜裝備火用損預測方法、構建了復雜裝備關鍵工藝參數(shù)火用損響應面模型、實現(xiàn)了基于強化學習理論的復雜裝備工藝參數(shù)低火用損設計，最后開發(fā)了復雜裝備工藝參數(shù)低火用損設計系統(tǒng)，為復雜裝備低火用損方案設計提供了理論基礎，為已運行復雜裝備工藝參數(shù)低火用損設定提供了工具。全文組織結構如下第一章從復雜裝備能耗高工程實際問題出發(fā)，綜述了國內外火用損分析與綠色設計、復雜裝備工藝參數(shù)低火用損設計、基于機器學習的工藝參數(shù)設計的國內外的研究現(xiàn)狀，結合作者所參與的空分項目展開本文的研究內容，最后介紹了本文的總體框架。第二章針對復雜裝備方案設計階段沒有物理樣機情況下火用損難以精確預測的問題，利用工廠積累的歷史數(shù)據(jù)對PR狀態(tài)方程進行了修正，為復雜裝備物性參數(shù)估算和火用損預測奠定了基礎，最后用修正后的PR狀態(tài)方程對空分裝備進行了模擬，計算了八萬等級空分裝備的火用損。第三章通過空分裝備流程的分析和物料平衡與熱平衡的校核，提取了空分裝備的工藝參數(shù)，通過仿真模擬和實際空分裝備監(jiān)測建立了采樣點數(shù)據(jù)庫，最后應用基于徑向基函數(shù)的火用損響應面構建方法建立了空分裝備火用損響應面模型，為基于火用損響應面模型的復雜裝備工藝參數(shù)優(yōu)化設計奠定了基礎。第四章在強化學習的基本框架基礎之上，提出了基于預學習和實時學習的雙重強化學習框架，研究了基于火用損響應面模型的復雜裝備工藝參數(shù)強化學習的方法及實現(xiàn)，最后應用在八萬等級空分裝備工藝參數(shù)低火用損設計中，驗證了雙重強化學習框架下的復雜裝備工藝參數(shù)低火用損強化學習效果。第五章以ASPENPLUS二次開發(fā)為基礎，融合基于修正PR方程的方案設計階段火用損預測方法、復雜裝備關鍵工藝參數(shù)火用損響應面模型構建技術、基于強化學習的工藝參數(shù)低火用損設計技術，開發(fā)了復雜裝備工藝參數(shù)低火用損設計系統(tǒng)，并在工程實際中得到應用。第六章對全文的研究內容和開展的工作進行了總結，并面向工程實際運用進行了工作展望，指出了下一步研究的方向。

簡介：還原染料是纖維素纖維織物染色和印花的一類重要染料，其色澤鮮艷，色譜齊全，有全面的染色堅牢度，其中耐曬和耐洗堅牢度尤為突出，主要用于高檔紡織品的染色。目前，在大部分的工業(yè)染色中，還原染料主要采用保險粉還原，這一過程會產生大量的含硫廢水，如硫酸鹽和亞硫酸鹽，不僅造成環(huán)境污染，也增加了污水治理的成本。因此，還原染料清潔染色工藝已成為染整工作者的一個研究熱點，其中間接電化學還原方法因其環(huán)保經濟、重現(xiàn)性好、可行性高等優(yōu)點較有潛力進行產業(yè)應用。但是，還原反應需要與陰極表面接觸，陰極極板的面積有限，且被還原的染料隱色體僅在陰極極板附近富集，擴散緩慢，致使其還原速率較慢，還原效率較低，染色效果達不到傳統(tǒng)還原方法的深度，目前其應用仍然受到了一定的限制。本課題將可控交變電場引入還原染料間接電化學還原和染色過程中，在外加電場下，使帶電隱色體鈉鹽快速移動，離開陰極附近，以FEⅢ草酸葡萄糖酸鈣絡合物體系為還原媒介進行間接電化學還原。實驗表明，自行設計的帶有可控電場的電解槽可以提高還原速率和還原效率，且在外加電場的條件下進行染色，可以增加上染速率和上染百分率，并在一定程度上提高了染色牢度，改進了常規(guī)間接電化學還原染色KS值較低、染色牢度較差的問題。本課題有以下幾方面研究內容首先，設計一套間接電化學還原裝置，利用電磁鐵產生的感應電場，使其還原過程在交變感應電場氛圍內進行，研究內容主要包括電解槽和電磁鐵的設計以及整個電路的連接。其次，研究了外加不同電場強度、不同交變頻率電場氛圍對間接電化學還原過程的影響，以FEⅢ草酸葡萄糖酸鈣絡合物為還原媒介對還原艷綠FFB進行間接電化學還原，通過正交實驗和單因素實驗，分析了各影響因素對染色KS值和循環(huán)伏安曲線的影響，得出在不同場強電場氛圍內最佳還原工藝是NAOH濃度25GL，C2H2O4濃度6GL，F(xiàn)E2SO43濃度75GL，CAC6H11O72濃度145GL，染料濃度03GL，還原電壓45V，陰極電極面積360CM2，感應電場強度1650NC，感應電場頻率50HZ，還原時間19MIN。在該工藝條件下，還原速率最快，染色織物得色量最深。同時利用此媒介體系，在上述最佳工藝條件下對其它種類、不同濃度的還原染料進行間接電化學還原實驗。然后，設計一套帶有電磁鐵的染槽，且其產生的感應電場強度和頻率可調，并完成電路的連接。研究經上述還原后的還原艷綠FFB隱色體鈉鹽在外加交變感應電場下的上染過程，通過正交試驗和單因素實驗，以上染速率和染色KS值為評判指標，分析了感應電場強度、染色溫度、染色時間、染液PH等對染色的影響，得出最佳的染色工藝感應電場強度1600NC，染液PH值115，染色溫度45℃，染色時間為9MIN。最后，與常規(guī)間接電化學還原染色工藝以及傳統(tǒng)保險粉還原工藝進行對比，其染色織物勻染性和干摩擦牢度相差不大，濕摩擦牢度和水洗牢度可提高05～1級。

簡介：點擊查看更多光學工程應力分布玻璃的工藝研究.pdf精彩內容。

簡介：本課題通過采用硅鐵、硅鋇、硅鈣及稀土進行孕育的方法來改變化學成分對短流程灰鑄鐵力學性能的影響開始研究，以及改變冷卻速度對短流程灰鑄鐵金相組織的影響，經多組實驗數(shù)據(jù)的對比，得出各種孕育劑的最適加入量及最佳冷卻速度。力學性能方面，硅鐵孕育劑加入量在025％時，整體力學性能最好，孕育劑超過025％以后，高爐鐵水遺傳性又開始顯現(xiàn)硅鋇孕育劑加入量在05％時，抗拉強度最高，此時品質系數(shù)最高，整體力學性能最好硅鈣孕育劑加入量在05％時抗拉強度達到最高，且在相同抗拉強度下，加入硅鈣孕育劑以后，較加入其他孕育劑硬度低2030HB稀土孕育劑加入量在013％時，抗拉強度就已經達到200MPA以上，孕育劑加入量在048％時，作為灰鑄鐵，整體的力學性能最好。金相組織方面，隨著孕育劑量的增多，A型石墨不斷增多，石墨長度不斷縮短，分布更加均勻基體以珠光體為主，說明孕育劑可促進一階段石墨化，減少白口傾向從而獲得較小過冷度的優(yōu)質鐵水，能大大改善石墨的形態(tài)和分布狀況，增加異質晶核數(shù)量，提高力學性能，細化基體組織。但超過一定量后，粗大石墨又開始顯現(xiàn)，這與高爐鐵水的遺傳性有關。白口實驗方面，三角試塊薄壁處冷卻速度大，石墨較少，滲碳體較多，硬度較高隨著壁厚的增加，冷卻速度減小，石墨增多，滲碳體減少，硬度降低，而且石墨越來越均勻細化。此外，孕育劑的加入會使三角試塊斷口表面晶粒明顯細化。綜合實驗得出硅鐵孕育劑加入量025％、硅鋇孕育劑加入量05％、硅鈣孕育劑加入量05％、稀土孕育劑加入量048％時，對于壁厚大于10MM的灰鑄鐵孕育效果最好。

簡介：科學技術大力發(fā)展的今天，工業(yè)生產過程朝著大型化、智能化、自動化方向快速前進。社會經濟水平快速提升的同時，固液分離技術在生產過程中的應用也日益增多，如何在控制較低成本的前提下，在高整合平臺中利用合適的設備及手段，實現(xiàn)分離流程的自動化控制，達到更高效的成果，這在工業(yè)生產進程中需要重點解決。鑒于單片機芯片的簡單操作性，所以本文提出使用微型控制芯片作為核心，與上位機相連，結合外接電路的使用，完成流程運行中參數(shù)的檢測、信號的處理以及設備的控制，展開對試驗型分離系統(tǒng)的研究。本課題的研究設計方案考慮了系統(tǒng)整體的硬件及其電路部分和軟件兩大方面。在硬件電路方面，本篇文章在第三章先是將系統(tǒng)結構劃分為四個部分，包括工作部分（分離單元）、動力系統(tǒng)（空氣壓縮）、傳輸系統(tǒng)（循環(huán)泵）以及過程控制（工藝流程控制），這是這次方案設計的主體結構。而在結構的硬件電路方面分幾個重要模塊，包括核心單片機控制及其外圍電路、流量檢測模塊、差壓檢測模塊、閥門和循環(huán)泵的硬件驅動，在這些方面分別對各自的硬件電路設計、檢測機理，還有相應的PID算法等作了詳細的說明。方案中考慮到操作人員與系統(tǒng)的交互，添加了上位機的設計。利用組態(tài)軟件對人機界面進行編輯制作，通過以太網(wǎng)或USB接口方式向其中下載編寫程序，完成操作人員、工作系統(tǒng)和控制介質的統(tǒng)一結合，真正實現(xiàn)過程的自動化控制。操作人員可以利用交互平臺，很直觀地對過程工作狀態(tài)和其中的觀測參數(shù)進行監(jiān)控，實時的掌握動態(tài)，進而方便的根據(jù)實際情況作出調整。本次提出的方案中，第一個優(yōu)勢是雙筒形結構。在單桶工作、清洗循環(huán)中會出現(xiàn)停機，這在連續(xù)生產過程中是難以接受的，而且多次的拆卸可能會影響分離介質的有效利用。雙筒形結構可以很好的避免這一點，在一臺罐體已經到達需要清洗的臨界點時，系統(tǒng)可以自動切換，開啟另一臺設備進行分離處理，此時原先的設備開始清洗操作，這樣保證了生產過程的連續(xù)性。第二個是采用金屬編織燒結網(wǎng)作為過濾材料，這樣克服了傳統(tǒng)柔性材料不易清渣、使用壽命短等缺點。試驗中利用濁度檢測設備，在分離試驗過程的關鍵工藝點進行在線監(jiān)測，通過不同階段料漿的檢測數(shù)據(jù)獲得當前料漿處理前（后）懸浮物的含量值，以此為依據(jù)自動調節(jié)系統(tǒng)參數(shù)，達到工藝設計的最佳工作效果。根據(jù)這次所選取的試樣檢測結果，本文認為已經達到了預設的要求，完成了對固液體系的有效分離。

簡介：電化學測量系統(tǒng)的縮寫就是電化學工作站本質是用來控制和監(jiān)測電化學設備的電流、電位及其他電化學參數(shù)的變化常用于電化學研究和教學。本論文中的電化學工作站可進行23種不同電化學測試需要完成測試控制、數(shù)據(jù)傳輸、數(shù)據(jù)存儲及數(shù)據(jù)分析功能并且最高采樣頻率可達100MHZ而目前國內外電化學工作站最高采樣率僅為10MHZ。由于此設計需求導致本系統(tǒng)在進行電化學測試時產生大量的測試數(shù)據(jù)傳輸時需要較大的傳輸帶寬存儲時需要更多的磁盤資源。這些問題將會影響系統(tǒng)的傳輸速率和性能導致系統(tǒng)硬件資源不足。因此本論文將圍繞提高電化學工作站測試數(shù)據(jù)的傳輸及存儲效率進行電化學工作站高效傳輸及存儲子系統(tǒng)和關鍵模塊的設計與實現(xiàn)展開高效傳輸及存儲策略的研究。本系統(tǒng)傳輸平臺以S3C2440A為主控芯片其中CS8900A網(wǎng)絡傳輸芯片能提供的以太網(wǎng)傳輸速率低于10MBPS而電化學工作站最高可達100MHZ采樣率同時又由于數(shù)據(jù)存儲的硬盤資源有限因此系統(tǒng)傳輸速率與帶寬不匹配導致了傳輸及存儲的瓶頸。分析電化學工作站測試數(shù)據(jù)特性數(shù)據(jù)量大、持續(xù)時間長、較有規(guī)律、可能具有嚴格周期性等特點。因此可采取數(shù)據(jù)壓縮傳輸及壓縮存儲的策略提高數(shù)據(jù)的傳輸及存儲效率。本文將根據(jù)其數(shù)據(jù)特點分別從數(shù)據(jù)和信號兩個角度研究與對比傳統(tǒng)數(shù)據(jù)壓縮算法和重采樣算法設計與實現(xiàn)ARM9LINUX的傳輸平臺LINUXQT4的開發(fā)環(huán)境MFCACLE10G的控制及存儲平臺并提出將傳統(tǒng)數(shù)據(jù)壓縮和重采樣技術相結合的方式進一步提高數(shù)據(jù)的傳輸及存儲效率。首先研究與對比常用的傳統(tǒng)數(shù)據(jù)壓縮算法利用LZW壓縮算法處理冗余數(shù)據(jù)提高50％左右的數(shù)據(jù)壓縮傳輸及存儲效率。其次鑒于傳統(tǒng)數(shù)據(jù)壓縮并不能解決10倍左右的傳輸瓶頸因此又研究與對比重采樣信號處理方式在過采樣和多周期等效采樣情況下實現(xiàn)信號的重采樣壓縮傳輸或者再與傳統(tǒng)數(shù)據(jù)壓縮相結合。然后根據(jù)以上研究設計并實現(xiàn)一款基于S3C2440A的嵌入式控制平臺包括本系統(tǒng)數(shù)據(jù)傳輸鏈路的軟硬件設計與實現(xiàn)LINUX系統(tǒng)移植及驅動設備程序的設計與實現(xiàn)。最后研究數(shù)據(jù)庫的壓縮技術、索引技術、備份技術和分區(qū)技術設計并實現(xiàn)數(shù)據(jù)的壓縮存儲從結構上再次提高數(shù)據(jù)的存儲效率和檢索效率。對系統(tǒng)進行測試數(shù)據(jù)傳輸及存儲效率能提高220倍可實現(xiàn)數(shù)據(jù)的高效傳輸及存儲并且保證在信號完整性、傳輸實時性及占有存儲資源方面能取得平衡。

簡介：無論是在電池的壽命研究中還是在金屬的腐蝕研究中電化學測試與分析必不可少但是由于目前各行業(yè)之間的專業(yè)知識存在斷層現(xiàn)象電化學工作站往往難以實現(xiàn)全面的測試與分析。針對上述存在的問題本文采用電化學測試和軟件分析相結合的方法基于MFC框架設計和實現(xiàn)了一套完整的智能化的電化學數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)系統(tǒng)中主要完成的功能如下1實時波形處理功能主要有三種方法SGSAVITZKYGOLAY平滑、巴特沃斯濾波、誤差修正。該功能主要是針對不同特點的信號用戶可根據(jù)實際需要選擇不同的方法進行處理。針對誤差較小的信號可采用SG平滑方法進行數(shù)據(jù)平滑針對疊加信號以及高頻噪聲信號可采用巴特沃斯濾波方法截取某頻率的信號進行觀察針對存在突變點的信號可采用誤差修正方法對其坐標值進行修正。2波形參數(shù)分析功能主要是估計信號頻率和相位差以便獲取信號的阻抗譜。本文針對信號頻率和相位差估計方法進行了仿真對比對比結果發(fā)現(xiàn)M_RIFE算法具有估計精度高、抗噪性強的優(yōu)點所以本文采用M_RIFE算法對信號頻率進行估計并在此基礎上分別估計兩信號的相位然后相減獲取兩信號的相位差。3阻抗分析功能主要是根據(jù)計算所得的阻抗譜獲取被測對象的等效電路及其等效元件參數(shù)值。國外較為先進的電化學工作站IVIUM儀器在數(shù)據(jù)分析方面功能比較全面但是針對阻抗分析用戶必須自己畫出等效電路圖然后軟件自動計算出等效元件參數(shù)值。本文在其基礎上進行了改進不但可以在已知等效電路的情況下獲取等效元件參數(shù)值還可以在未知等效電路的情況下根據(jù)阻抗譜圖的特征自動估計等效電路圖和計算等效元件參數(shù)值使阻抗分析更加自動化和智能化。本論文對上述功能的實現(xiàn)技術和方法進行了研究并將所有功能集成在電化學數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)中使電化學工作站的數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)更加全面和智能。本文對數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)進行了全面測試測試結果表明波形參數(shù)分析和阻抗分析都具有較高的精確度界面操作簡潔大方滿足設計要求。

簡介：點擊查看更多有機物和硝酸鹽對硫自養(yǎng)-電化學氫自養(yǎng)組合工藝還原高氯酸鹽性能的影響.pdf精彩內容。

簡介：化學鍍銀纖維已成為近幾年電磁屏蔽服裝的主要原材料，其質量和性能直接影響到最終產品的電磁屏蔽性能。本文以錦綸纖維為基體，通過化學鍍技術，包括粗化、敏化、活化和還原等工序，制備了性能良好的可用于電磁屏蔽服裝開發(fā)的銀纖維長絲。首先探討了氫氧化鈉和丙酮的除油效果。實驗表明，丙酮優(yōu)于氫氧化鈉，可徹底清除錦綸表面的油劑；進而探索了鹽酸對錦綸的粗化處理工藝。實驗表明，以10％的鹽酸，低頻震蕩處理60MIN，可獲得較好的粗化效果；把敏化和活化處理作為化學鍍銀的重要步驟加以研究。研究表明，濃度為15GL的氯化亞錫，超聲波震蕩40MIN，可獲得較好的效果；以濃度為03GL氯化鈀，靜置40MIN活化效果最佳。重點研究了還原工藝。研究表明，還原的最佳工藝為葡萄糖的濃度為6GL，硝酸銀濃度10GL，乙醇濃度25GL，硫脲濃度04MGL，PH為11，浴比18；甲醛濃度06GL，硝酸銀濃度10GL，乙醇濃度25GL，硫脲濃度04MGL，PH為11，浴比110。電鏡觀察表明，所鍍銀纖維的銀層結構完整，結合牢度較好，超聲波清洗五次重量損失率在5以內。抗菌實驗表明，以葡萄糖為還原劑鍍銀后的織物對金黃色葡萄糖球菌的抑菌率達到924，對大腸桿菌的抑菌率達到906；以甲醛為還原劑鍍銀后的織物對大腸桿菌的抑菌率達到901，對大腸桿菌的抑菌率達到889。電磁屏蔽性能檢測實驗表明，以葡萄糖為還原劑的鍍銀織物，屏蔽效能為999929；以甲醛為還原劑的鍍銀織物的屏蔽效能為999878。

簡介：化學鍍是利用溶液中的氧化劑與還原劑進行氧化還原反應，在工件基體上（金屬或非金屬）獲得鍍層的表面處理方法。與電鍍工藝比較，化學鍍不需要外加電源，對形狀復雜的工件，如含有腔體，深孔，管道、溝槽、拐角、夾縫等，化學鍍都可以得到滿意鍍層，使得它在工業(yè)領域有著廣泛的應用?；诨瘜W鍍NIP合金原理，研究了NIPPTFENIP聚四氟乙烯復合化學鍍工藝。采用添加表面活性劑降低溶液表面張力并結合攪拌分散方法，解決微米級PTFE粉末在化學鍍溶液中的團聚和鍍液不穩(wěn)定的困難。利用化學沉淀法處理NIPPTFE復合化學鍍廢液，并回收化學鍍廢液中鎳鹽。硫鐵礦是生產硫酸的主要原料。我國目前用硫鐵礦制硫酸，每年將產生千萬噸級硫鐵礦燒渣，其主要成分是氧化鐵、氧化亞鐵和二氧化硅。硫鐵礦燒渣的直接排放，造成環(huán)境污染和資源浪費。從資源利用和環(huán)境保護考慮，研究用硫酸渣制備三氯化鐵，探索解決硫鐵礦燒渣產生的環(huán)境問題和資源循環(huán)利用。本論文主要研究成果如下1確立了NIPPTFE復合化學鍍鍍液的基礎配方及最佳工藝參數(shù)。2制備的NIPPTFE復合鍍層與工件基體結合力強，具有耐磨損、耐腐蝕、自潤滑特性。3調控化學鍍廢液處理的PH值及工藝參數(shù)，廢液中鎳鹽回收率可達96％以上。4采用兩段酸溶法，制得的三氯化鐵含量達到40％，其砷、鉛含量均低于20PPM。

簡介：水泥基壓電復合材料是大型土木工程智能監(jiān)測系統(tǒng)的重要組成部分。它與混凝土具有良好的相容性，具有高強度、靈敏的感知度且成本較低，因此它的研制可以改造傳統(tǒng)水泥基材料，使其應用到更多的領域中。但是只有在水泥基壓電復合材料表面制備性能良好的電極之后，其壓電性能才能得到發(fā)揮。因此，研制適合水泥基壓電復合材料電極的制備工藝具有重要意義。本文以PZT5壓電陶瓷為功能體材料，以環(huán)氧樹脂與普通硅酸鹽水泥的混合物為基體材料，用二次切割澆注法制備13型水泥基壓電復合材料，并采用無鈀活化化學鍍鎳的方法在其表面制備電極，綜合單因素實驗結果、正交實驗結果分析無鈀活化工藝及施鍍工藝對鍍速及鍍層性能的影響。以最佳粗化工藝、堿性鍍液為前提，以鍍層的外觀、鍍速、含磷量和耐腐蝕性為主要指標，采用單因素實驗，研究活化順序、活化主鹽、還原溶劑組成對鍍層性能的影響。結果表明采用無鈀活化法對水泥基壓電復合材料表面進行化學鍍鎳的最優(yōu)工藝順序為打磨→除油→粗化→還原→活化→施鍍；活化主鹽優(yōu)選乙酸鎳；還原劑硼氫化鈉的最佳溶劑為甲醇體積分數(shù)為50％的甲醇水混合液。采用單因素實驗研究活化主鹽濃度、活化時間、活化溫度對鍍層外觀、鍍速、結合力、耐蝕性的影響，以鍍速為主要指標，采用正交實驗優(yōu)化活化工藝條件，確定最優(yōu)活化工藝參數(shù)。選取五種活化液添加劑碘化鉀、乙二胺、聚乙二醇、十二烷基硫酸鈉、十六烷基三甲基溴化銨，在最佳活化工藝基礎上探討活化液添加劑對鍍層性能的影響，確定最優(yōu)添加劑及其濃度。結果表明，最佳活化工藝條件乙酸鎳濃度25GL，活化時間10MIN，活化溫度35℃；活化液中最優(yōu)添加劑為聚乙二醇，最優(yōu)添加劑濃度為30MGL。對有鈀活化法和經過改進后的無鈀活化法所得到的鍍層做了對比，結果表明經過改進后的無鈀活化法得到的鍍層鍍速更高，鍍層表面微觀形貌和耐蝕性更好，因此有鈀活化法不適合水泥基壓電復合材料表面化學鍍鎳。在原有堿性鍍液的基礎上改進鍍液配方，得到偏中性鍍液，并通過單因素實驗、正交實驗確定最佳施鍍工藝條件。結果表明偏中性鍍液配方為NISO47H2O20GL，NA3C6H5O72H2O12GLNAH2PO2H2O30GL，CH3COONA12GL，NA2B4O710H2O8GL；最佳施鍍工藝條件為施鍍PH值80，施鍍溫度50℃，施鍍時間20MIN。對最佳活化工藝和施鍍工藝得到的鍍層進行性能分析，結果表明最佳活化和施鍍條件下得到的鍍層表面平整、光亮，晶粒大小均勻、結合緊密，鍍層斷面檢測顯示其厚度約為250NM，與基體結合緊密；陶瓷基體表面鍍層磷含量高達1321，水泥基體表面磷含量高達1219，鍍層成分較為均勻；鍍層表面電阻率為0876ΩCM，導電性較好，可以有效增加壓電材料的工作性能。

簡介：氮化硼薄膜是一種類石墨烯蜂巢晶格結構的薄膜，由交替的硼原子和氮原子組成。氮化硼薄膜繼承了氮化硼塊體材料的力學、電學、熱學和光學方面的優(yōu)異性能，并且由于其特殊的二維結構，使其擁有更多的特性和更廣泛的應用前景。氮化硼薄膜目前尚處于基礎研究階段，其制備方法尚不成熟。本文在綜述氮化硼薄膜制備工藝的基礎上，采用化學氣相沉積（CVD）工藝，以硼吖嗪（BAZINE）為氮化硼先驅體，以NI、CU和碳材料為襯底，成功制備出結晶度高、尺寸大并且厚度均勻的氮化硼薄膜。本文提出了NI襯底表面氮化硼薄膜的制備和層數(shù)控制方法；研究了CU襯底表面氮化硼單晶長大和薄膜生長的規(guī)律，并制備出最大尺寸約20ΜM的氮化硼單晶；在石墨烯和碳氣凝膠表面制備了氮化硼薄膜，并通過工藝控制，制備出超輕氮化硼氣凝膠，該氮化硼氣凝膠實際為三維結構的氮化硼薄膜；研究了氮化硼薄膜的光學、電學以及抗氧化特性。采用CVD工藝，在鎳襯底表面制備了厚度為數(shù)原子層的連續(xù)氮化硼薄膜。研究了不同CVD溫度、時間、稀釋氣等工藝參數(shù)對氮化硼薄膜的影響，實現(xiàn)了氮化硼薄膜的層數(shù)控制，總結出薄膜的層數(shù)控制機理。NI襯底表面氮化硼薄膜制備優(yōu)化的CVD工藝條件是溫度1000°C、常壓、生長時間15MIN、稀釋氣為ARH2混合氣、BAZINEH2AR的比例為245225。通過工藝控制，可以實現(xiàn)薄膜原子層數(shù)在2到10層以上變化，層間間距均為034±001NM。氮化硼薄膜生長過程中同時存在外延生長和擴散偏析兩種機制，薄膜的最終厚度是兩種機制共同控制的結果。在CVD過程（外延生長過程），氮化硼薄膜在鎳表面外延生長，同時，B和N原子向鎳襯底或其晶界中溶解；在降溫冷卻過程中（擴散偏析過程），鎳襯底中的B和N原子受到襯底冷卻收縮的擠壓作用，偏析至襯底表面形成新增的的氮化硼原子層。CVD時間的延長對薄膜厚度的影響，體現(xiàn)了薄膜的外延生長機制，而CVD結束后降溫速率對氮化硼薄膜厚度的影響，則體現(xiàn)了氮化硼薄膜的擴散偏析機制。隨著冷卻速率的提升，氮化硼薄膜的厚度升高，但是厚度均勻性下降。采用NISI復合襯底，高溫下硅原子和鎳原子在界面處發(fā)生反應形成鎳硅化合物阻擋層，阻止B和N原子在NI襯底的溶解和擴散，保證氮化硼薄膜直接在NI表面的外延生長，即可在NI表面制備出單原子層連續(xù)的氮化硼薄膜。采用CVD工藝，在銅表面制備了單原子層的連續(xù)氮化硼薄膜和大尺寸氮化硼單晶。研究了不同CVD溫度、時間、氣體條件和襯底狀態(tài)等工藝參數(shù)對氮化硼薄膜的影響。銅襯底表面氮化硼單晶和薄膜制備優(yōu)化的CVD工藝條件是拋光銅襯底、生長溫度1000°C、低壓、稀釋氣為ARH2混合氣、BAZINEH2AR的比例為1180270。1000°C制備的氮化硼單晶，具有正三角形形貌，最大尺寸約20ΜM。依據(jù)化學熱力學，對于高溫下的銅表面的氮化硼薄膜，以B原子終結的邊界不穩(wěn)定，而N原子終結的邊界則可以穩(wěn)定存在，因此氮化硼薄膜傾向于呈現(xiàn)正三角形形貌。銅表面的氮化硼薄膜生長為外延生長，延長CVD時間（1560MIN），可以觀察到氮化硼從形核到單晶疇長大并最終制備連續(xù)薄膜的過程。由于BAZINE的分解副產物為氫氣，考慮到化學平衡的影響，采用ARH2混合氣體作為反應稀釋氣，可以制備出質量較好的氮化硼單晶和薄膜。氫氣的存在對氮化硼薄膜和單晶存在刻蝕和修飾的作用，有助于氮化硼單晶的正三角形形貌的形成。銅襯底的拋光和富氧化等表面狀態(tài)，對氮化硼產物的生長有較大影響。采用CVD工藝，在石墨烯襯底上制備了氮化硼薄膜，研究了CVD溫度、時間對氮化硼薄膜的影響。900°C是在石墨烯表面制備氮化硼晶疇的優(yōu)化溫度。石墨烯表面氮化硼晶疇的生長可以分為三個過程，即吸附過程、成核過程和晶疇生長過程。在較高的溫度下，當?shù)饐卧蜃杂苫膭幽苓^大，其在襯底表面的吸附進程受到抑制，解吸附占主導作用，進而導致晶疇的成核密度降低；在較低溫度下，結果反之。石墨烯為原子級超平整襯底，對氮化硼的生長無催化作用，通過延長CVD時間，在CVD初期，持續(xù)存在著氮化硼晶疇的吸附、成核和晶疇長大過程；在CVD后期，氮化硼晶疇覆蓋率達到一定比例后，很難在未覆蓋襯底區(qū)域實現(xiàn)吸附、成核和晶疇生長的連續(xù)過程，沿著舊的成核中心垂直方向生長將占主導地位，最終導致難以制備連續(xù)薄膜。采用模板輔助CVD法，以碳氣凝膠為模板在900°C制備了氮化硼薄膜，進而采用600°C高溫氧化法除去碳氣凝膠模板，獲取氮化硼氣凝膠。該氮化硼氣凝膠實際為特殊三維結構的氮化硼薄膜。氮化硼氣凝膠晶格結構與碳材料相似，但結晶度略低于碳氣凝膠，因為碳襯底對薄膜的生長無催化作用。在CVD時間30MIN成功制備出體積密度為06MGCM3的超輕氮化硼氣凝膠，該密度遠低于空氣的體積密度（129MGCM3）。氮化硼氣凝膠的比表面積可達1051M2G。研究了氮化硼薄膜的光學、電學以及抗氧化特性能。氮化硼薄膜在可見光區(qū)擁有良好的透光性，但在深紫外光區(qū)2030NM處具有強力吸收峰。單原子層氮化硼薄膜擁有605±003EV的光學帶隙。制備了電阻器件，并采用四端子法測試了轉移到SIO2SI表面的氮化硼薄膜的電阻。氮化硼薄膜擁有良好的絕緣特性，無明顯摻雜情況，品質較高。氮化硼薄膜的抗氧化溫度上限為800°C，800°C以上溫度氧化后的氮化硼薄膜的RAMAN光譜的E2G特征峰強度開始減弱，頻率變高，并且半高寬變大，該結果分別歸因于氧化導致的氧元素摻雜和氮化硼薄膜晶格無序化。氮化硼氣凝膠具備遠超碳氣凝膠的抗氧化性能，其開始氧化的溫度為800°C，氧化過程同時包含BN的氧化和B2O3的升華兩個變化，熱重分析結果顯示，即使氧化溫度達到1300°C，氮化硼氣凝膠的重量保留率仍超過60％。氮化硼氣凝膠為一種有選擇的吸附劑，其表面呈現(xiàn)超疏水性，但是對有機物（油）擁有較好的吸收性。氮化硼氣凝膠可以吸收自身重量160倍的有機物。采用直接空氣中點燃的方法，對吸油后的氣凝膠進行復原，復原后的氣凝膠擁有與原始氣凝膠相等的有機物吸附性能。本文實現(xiàn)了氮化硼薄膜的原子層數(shù)可控，并制備了大尺寸的三角形氮化硼單晶，以及超輕的氮化硼氣凝膠。下一步，將探索氮化硼薄膜在微電子器件尤其是石墨烯器件上的具體應用，并制備更大尺寸的的氮化硼氣凝膠，以探索氮化硼氣凝膠的進一步應用。

簡介：點擊查看更多硫化工藝對高填充NR物理化學網(wǎng)絡及性能的影響.pdf精彩內容。

簡介：現(xiàn)代化工過程控制中，分布式控制系統(tǒng)（DISTRIBUTEDCONTROLSYSTEM，DCS）已獲得了廣泛應用。但是在DCS中，利用傳統(tǒng)的微波通信技術把采集的信息從數(shù)據(jù)采集點傳輸?shù)讲僮鲉T工作站的過程中易受其它雜波的干擾，嚴重影響該控制系統(tǒng)在大化工過程中的可靠性。而無線激光通信系統(tǒng)具有帶寬高、成本低、抗干擾能力強等優(yōu)點，它在實現(xiàn)點對點之間的雙向通信方面具有廣泛的應用前景。所以，本文提出了利用無線激光通信系統(tǒng)作為DCS中數(shù)據(jù)傳輸方式的設想。本文主要研究內容是設計一種可用于DCS中、并采用基于光電探測器直接耦合的無線激光通信系統(tǒng)，并按照該系統(tǒng)的設計方案選擇器件、設計電路、焊接電路等，最終搭建了一個無線激光通信的硬件平臺。本文還先后通過現(xiàn)場可編程邏輯門陣列（FPGA）產生的偽隨機碼和方波分別定性、定量地測試了該硬件通信平臺的通信性能。本文的主要研究內容大致分為兩大部分第一部分是關于該通信系統(tǒng)的硬件平臺的搭建工作。該部分主要介紹了本文設計的通信系統(tǒng)的結構和各部分的作用，并重點介紹了一些關鍵器件的性能特征，再根據(jù)所選擇器件的性能特征參數(shù)利用電子設計自動化軟件CADENCEDESIGNSYSTEMS設計了發(fā)射端系統(tǒng)和接收端系統(tǒng)的電路原理圖。第二部分是關于該無線激光通信系統(tǒng)的通信性能測試工作。該部分主要是利用FPGA產生了不同頻率的偽隨機碼，再利用該偽隨機碼調制發(fā)射端，通過分析接收端在偽隨機碼作用下形成的眼圖來定性評估該通信系統(tǒng)的性能指標。另外，本文還通過測量不同頻率方波的峰峰值，計算出不同頻率信號的消光比，從而對該通信系統(tǒng)的通信性能進行定量分析。經過分析可知，本文設計的無線激光通信系統(tǒng)可以用于DCS中的短距離、低波段的信息傳輸。最終制作的無線激光通信系統(tǒng)硬件平臺的性能指標如下激光波長為650NM；激光平均功率為55MW；適用信號頻率范圍是112MHZ；通信距離在1KM以內；平均靈敏度為35ΜW（即2456DBM）。

簡介：隨著社會的進步、經濟的發(fā)展以及人口的急劇增加，中國的水資源問題變得日益嚴重。水資源短缺、需求大幅度增加、水體污染嚴重等問題已成為我國經濟社會發(fā)展的重要制約因素，同時也加重了水處理的困難，給傳統(tǒng)的飲用水處理帶來了嚴峻的挑戰(zhàn)。越來越多的新型水處理工藝隨之被開發(fā)出來，以達到提高飲用水水質的目的。膜技術因其所具有的優(yōu)點而成為飲用水處理的一個重大突破，是21世紀最有前景的水處理技術之一。但膜技術是物理分離技術，對于水中小分子有機污染物等的去除率不高，會造成嚴重的膜污染?；瘜W清洗無疑是解決膜污染的有效手段，但同時存在潛在的二次污染，給飲用水處理帶來了水質安全風險。本研究是在混凝超濾裝置的基礎上，對膜進行在線化學強化反沖洗，建立反沖洗副產物的檢測分析方法，分析膜清洗藥劑與膜污染物質反應產生的副產物，對生成的副產物的種類進行甄別和篩選，確定典型反沖洗副產物；通過調節(jié)化學強化反沖洗水力參數(shù)（反洗壓力、反洗流量、反洗時間、反洗周期），分析其對典型副產物的生成和膜清洗效果的影響，以及化學強化反沖洗調控參數(shù)與典型副產物生成量變化和膜清洗效果的關系，確定最佳在線化學清洗參數(shù)，實現(xiàn)膜清洗技術的優(yōu)化調控。本研究建立了頂空進樣氣相色譜檢測水中揮發(fā)性鹵代烴以及高效液相色譜質譜聯(lián)用檢測水中鹵乙酸的方法，確定了12種揮發(fā)性鹵代烴以及9種鹵乙酸類化合物，鹵乙酸占了副產物總量的85％以上，且所有典型副產物隨著膜過濾出水時間的延長，濃度均逐漸降低；綜合考察單一因素變化對典型副產物生成和膜清洗效果的影響，最終確定膜化學反沖洗的最佳清洗參數(shù)為反洗時間4MIN、反洗周期120MIN、反洗藥劑濃度25MGL、反洗流量20LM2H；選用致癌風險評價典型副產物對人類健康的影響，在最佳參數(shù)反洗條件下，副產物總的致癌風險為52881106。