射頻輝光放電與ICP聯(lián)用光譜激發(fā)源研究.pdf

1、輝光光譜儀因其能直接分析固體樣品和獨特的深度輪廓分析性能，在分析領域中的作用越來越重要。雖然輝光放電等離子體已廣泛應用到多個領域，甚至已成為某些產業(yè)的關鍵技術（如微電子工藝中的等離子體刻蝕、鍍膜）。但用于輝光光譜儀的輝光放電等離子體激發(fā)源存在濺射速率和激發(fā)效率都較低的不足，而且濺射下來進入負輝區(qū)的樣品粒子不能被完全激發(fā)，這些不足都是急待解決的。研究開發(fā)輝光放電激發(fā)源，特別是追蹤國內外最新增強型激發(fā)源的研究，探索新的增強方式，尋求有效、穩(wěn)

2、定的激發(fā)效率和提高濺射速率對輝光儀器的發(fā)展足具有重要意義的。
　　 本文簡要敘述了國內外業(yè)已報道的各種增強型輝光放電激發(fā)源的實驗裝置及原理。洋細闡述了一種新的射頻輝光放電（GD）與低壓電感耦合等離子體（ICP）聯(lián)用（GD-ICP）增強型激發(fā)源的結構、原理。
　　 研究了GD-ICP聯(lián)用增強型激發(fā)源不同工作參數對實驗的影響效果，這些參數包括氬氣氣壓、石英炬管內徑、ICP射頻功率。并通過濺射激發(fā)鋅鋁合金標準樣品來建立工作曲線