極性冷分子靜電表面導(dǎo)引新方案的理論研究.pdf

1、由于冷分子可用于基本物理問題的研究、基本物理常數(shù)的精密測量、高分辨激光光譜和精密測量、冷化學(xué)反應(yīng)和冷碰撞、分子物質(zhì)波的干涉、量子計(jì)算和量子信息處理等許多領(lǐng)域,所以關(guān)于冷分子物理與分子光學(xué)的研究不僅有著重要的科學(xué)意義,而且有著廣闊的應(yīng)用前景。近幾年,有關(guān)冷分子的產(chǎn)生、操控及其應(yīng)用研究得到了快速發(fā)展。本文首先介紹了中性分子的操控原理、實(shí)驗(yàn)結(jié)果及其最新進(jìn)展。其次,提出并研究了極性冷分子在芯片表面導(dǎo)引的兩種方案；最后,就本文的研究工作進(jìn)行了簡單

2、總結(jié)和展望。 本文提出了采用三根載荷長直導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)極性分子表面導(dǎo)引的方案。我們計(jì)算了靜電場分布,以CO為例計(jì)算了相應(yīng)的斯塔克勢分布。同時(shí)詳細(xì)分析了導(dǎo)引中心位置yo與幾何參數(shù)(b和ro)、電壓參數(shù)(U1和U2)之間的依賴關(guān)系,并且研究了過導(dǎo)引中心的空間電場分布與幾何參數(shù)的依賴關(guān)系。研究發(fā)現(xiàn)：導(dǎo)引中心的位置不僅受幾何參數(shù)的影響,而且改變電壓也可方便地調(diào)整導(dǎo)引中心的位置,這樣可以更方便有效地操縱與控制勢阱中的冷分子。用蒙特卡羅方法模擬了

3、分子導(dǎo)引的動力學(xué)過程,計(jì)算并模擬了直導(dǎo)引、彎曲導(dǎo)引效率,給出了導(dǎo)引后的速度分布。 本文又提出了用四根載荷導(dǎo)線在芯片表面實(shí)現(xiàn)極性冷分子的另一方案。類似地,我們計(jì)算了芯片表面的空間電場強(qiáng)度分布,以CO為例計(jì)算了相應(yīng)的斯塔克勢分布,分析了靜電導(dǎo)引系統(tǒng)的不同幾何參數(shù)以及電壓和電場強(qiáng)度間的關(guān)系,可以改變電壓也可方便調(diào)整導(dǎo)引中心的位置,這樣可以更方便有效地操縱與控制勢阱中的冷分子。接著,計(jì)算并蒙特卡羅模擬了冷分子直導(dǎo)引、彎曲導(dǎo)引的效率,并研