基于Polyvinyl Pyrrolidone和PbSe超晶格復(fù)合體系的電雙穩(wěn)器件的研究.pdf

1、有機(jī)電雙穩(wěn)態(tài)存儲(chǔ)器具備工藝簡(jiǎn)單、可折疊及存儲(chǔ)密度大等優(yōu)點(diǎn)。近年來，基于無機(jī)納米材料和聚合物的復(fù)合材料被引入到電雙穩(wěn)器件中，已成為存儲(chǔ)器件科研領(lǐng)域的一大熱點(diǎn)。本工作中，制備了PbSe超晶格納米材料和二氧化硅修飾PbSe超晶格納米材料，分別與聚合物Polyvinyl Pyrrolidone(PVP)進(jìn)行復(fù)合，采用旋涂的方法制備成電雙穩(wěn)器件，研究了器件的電學(xué)特性，討論了器件的工作原理。主要內(nèi)容如下:
　　1.通過熱水浴的方法制備了三維自

2、組裝PbSe超晶格，并對(duì)其進(jìn)行了透射電子顯微鏡(TEM)、X射線粉末衍射(XRD)表征。利用聚合物PVP和PbSe超晶格制備了結(jié)構(gòu)為ITO/PVP/PbSe superlattices/PVP/Al的電雙穩(wěn)器件。研究了用不同質(zhì)量比的PbSe超晶格和聚合物PVP制作的器件的電流電壓特性，通過與結(jié)構(gòu)為ITO/PVP/Al的電雙穩(wěn)器件進(jìn)行對(duì)比，來研究PbSe超晶格對(duì)器件電雙穩(wěn)特性的作用，并用載流子輸運(yùn)模型對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行擬合，對(duì)器件的電荷傳輸機(jī)

3、制進(jìn)行了研究。結(jié)果表明:當(dāng)PVP和PbSe超晶格質(zhì)量比為1∶1時(shí)，器件性能最好，電流開關(guān)比可以達(dá)到7×104，ON態(tài)和OFF態(tài)電流可以保持104秒，幾乎不衰減。器件的電雙穩(wěn)特性主要源于PbSe超晶格對(duì)電荷進(jìn)行俘獲、存儲(chǔ)和釋放。
　　2.利用微乳液法制備了SiO2修飾表面的PbSe超晶格，并對(duì)其進(jìn)行透射電子顯微鏡(TEM)表征。將PVP和SiO2修飾PbSe超晶格共混，通過簡(jiǎn)單旋涂的方法制成結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT∶PSS/PVP∶

4、SiO2修飾PbSe超晶格/Al的器件。研究了用不同質(zhì)量比的SiO2修飾PbSe超晶格和聚合物PVP制作的器件的電流電壓特性，通過與結(jié)構(gòu)為ITO/PVP/Al的電雙穩(wěn)器件進(jìn)行對(duì)比，來研究SiO2修飾PbSe超晶格對(duì)器件電雙穩(wěn)特性的作用，并用載流子輸運(yùn)模型對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行擬合，對(duì)器件的電荷傳輸機(jī)制進(jìn)行了研究。結(jié)果表明:當(dāng)SiO2修飾PbSe超晶格和PVP質(zhì)量比為1∶3時(shí)，器件性能最好，電流開關(guān)比可以達(dá)到104。器件的電雙穩(wěn)特性主要源于修飾P