基于M EMS的高場非對稱離子遷移譜的研究.pdf

1、高場非對稱離子遷移譜檢測技術及相應儀器的誕生于上世紀20世紀70年代，自其誕生以來已經(jīng)逐漸成為各個痕量分子檢測和分析領域的主要檢測和分析方法之一。由于其常壓工作環(huán)境、快速檢測、高靈敏度和低功耗的特點，離子遷移譜技術尤其適用于實地便攜式檢測和各類在線實時分析檢測場合，在爆炸物、化學戰(zhàn)劑、毒品、化工、環(huán)境監(jiān)測、食品安全、生物醫(yī)療等等對檢測線、檢測速度和檢測通量性要求較高的領域，離子遷移譜技術成為主要檢測手段之一。
　　本課題主要是研究

2、基于 MEMS工藝的高場非對稱離子遷移譜，主要研究內容包括從結構設計，電氣設計和芯片設計三個方面對FAIMS的系統(tǒng)組成進行較為詳細的介紹。芯片設計主要介紹兩種芯片制造工藝，基于硅刻蝕的工藝以及基于LIGA工藝；電氣設計主要包括高頻高壓非對稱的射頻電場，補償電壓發(fā)生電路，微流檢測電路，環(huán)境檢測電路，整機控制和通訊控制電路等；結構設計主要包括前端進樣、過濾、電離、分離檢測等結構設計。同時，基于搭建的測試品臺，探究高氣壓對FAIMS性能的影響