分子束外延生長(zhǎng)Er-,2-O-,3-高k柵介質(zhì)材料的物理特性研究及硅基磁性半導(dǎo)體材料的制備.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩98頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶(hù)提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、本文對(duì)分子束外延生長(zhǎng)Er<,2>O<,3>高k柵介質(zhì)材料的物理特性研究及硅基磁性半導(dǎo)體材料的制備進(jìn)行了探討。本研究在不同的氧氣壓及不同的襯底溫度下，用在真空中蒸發(fā)金屬鉺源和通入流量可控的低壓氧氣來(lái)生長(zhǎng)Er<,2>O<,3>薄膜。在氧氣壓為7×10<'-6>Torr，襯底溫度為700℃的條件下，我們?cè)赟i(001)和Si(111)襯底上分別獲得了單一取向、結(jié)晶狀況良好的外延Er<,2>O<,3>薄膜。Er<,2>O<,3>薄膜在Si(00

2、1)襯底上的外延關(guān)系為Er<,2>O<,3>(110)∥Si(001)，Er<,2>O<,3>[001]∥Si[110]或者Er<,2>O<,3>[110]∥Si[110]。其在Si(111)襯底上的外延關(guān)系為Er<,2>O<,3>(111)∥Si(111)，Er<,2>O<,3>[110]∥Si[110]。為了檢驗(yàn)在Si(001)襯底上外延的Er<,2>O<,3>薄膜的電學(xué)性質(zhì)，對(duì)薄膜進(jìn)行了 C-V和I-V的測(cè)試。通過(guò)C-V特性的測(cè)試

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論