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1、分子印跡技術(shù)及其特異性分子識(shí)別能力在吸附、分離、傳感、催化等領(lǐng)域中已獲得了廣泛的應(yīng)用。 本文研究了印跡聚合物與底物的相互作用,深入探討了提高分子識(shí)別的幾種可行方法,并獲得了提高其特異性的途徑。研究以Boc-L-苯丙氨酸等分子為模板,以原位UV光譜為手段,對(duì)模板-底物的相互作用進(jìn)行了深入的研究。研究表明,過高及過低的單體模板比,無法保證印跡與底物構(gòu)像的互補(bǔ)性,因此不利于分子識(shí)別特異性的提高,而只有適量的單體用量才能獲得最好的特異性
2、。為抑制分子鏈段的運(yùn)動(dòng),創(chuàng)新性地將金屬離子(Co2+)的橋梁作用引入印跡的設(shè)計(jì)與合成。研究發(fā)現(xiàn),與傳統(tǒng)的合成方法相比,加入Co2+后合成的印跡聚合物分子識(shí)別能力獲得了顯著的提高。究其原因,是由于配位鍵遠(yuǎn)比氫鍵等相互作用強(qiáng),從根本上約束了分子鏈段因熱運(yùn)動(dòng)造成與模板構(gòu)像的偏離,從而有效地提高了印跡的保真度。為實(shí)現(xiàn)對(duì)印跡識(shí)別過程的控制,本文還設(shè)計(jì)合成了具有智能化、可控性的印跡聚合物。在較低的溫度時(shí),合成印跡聚合物與傳統(tǒng)印跡聚合物相似,可有效識(shí)
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