電子微束分析中粗糙樣品表面形貌的蒙特卡洛方法模擬研的模擬研究.pdf

1、電子與固體中的相互作用構(gòu)成了許多材料分析工具（掃描電子顯微學(xué)、表面電子能譜學(xué)、電子探針微分析等）的物理基礎(chǔ)（第一章）。根據(jù)固體/表面中的電子散射理論和Monte Carlo 模擬方法，基于實(shí)體結(jié)構(gòu)幾何法構(gòu)造模型，我們研究了梯形線幾何體在掃描電子顯微鏡的主要信號(hào)成像、測量線寬的性質(zhì)（第二章）?；谟邢拊切尉W(wǎng)絡(luò)法模型構(gòu)造(第一章)，我們研究了粗糙表面的電子能譜、二次電子產(chǎn)額和背散射電子產(chǎn)額（第三章）。所采用的電子在固體中的Monte C

2、arlo 散射模型是：彈性散射利用的是Mott微分截面，而非彈性散射利用的是基于實(shí)驗(yàn)光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)的介電函數(shù)近似，并且在模擬中包含了級聯(lián)二次電子的產(chǎn)生。
　　 在掃描電子顯微成像以及納米線寬測量初步研究中（第二章），我們采用了體構(gòu)造法構(gòu)建出具有一定邊墻角的梯形線幾何體，并且基于此模型，用MonteCarlo 方法模擬了光滑表面的Au 刻蝕線在不同參數(shù)（即高度、寬度、邊墻角、入射電子束寬和能量）下模擬得到的測量線寬，同時(shí)，比較了測量

3、線寬與實(shí)際線寬的關(guān)系。此工作對于CD-SEM 納米尺度的精確測量學(xué)有一定的指導(dǎo)意義。
　　 在粗糙表面相關(guān)電子譜的分析中（第三章），我們完成了對Cu、Si、Al 等的電子能譜、二次電子產(chǎn)額、背散射電子產(chǎn)額的模擬工作。通過對不同粗糙參數(shù)（粗糙半高寬3 σ，以及表面間隔a）的調(diào)整改變，我們得到了基于三角形網(wǎng)格構(gòu)建模型的各種相比于光滑表面更真實(shí)的粗糙表面，利用Monte Carlo 模擬方法計(jì)算比較了模擬得到的二次電子產(chǎn)額與實(shí)驗(yàn)的二次