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1、原子層沉積(ALD),是一種通過(guò)連續(xù)的飽和表面自限制反應(yīng)沉積成膜的技術(shù)。相比傳統(tǒng)制備技術(shù)得到的薄膜,原子層沉積制備薄膜具有優(yōu)越的復(fù)形性、均勻性和致密性等特點(diǎn),因此在復(fù)雜形貌表面制備高質(zhì)量光學(xué)薄膜方向具有很大的潛力。本文圍繞原子層沉積制備薄膜的優(yōu)異特性進(jìn)行展開(kāi),分別對(duì)氧化物薄膜和金屬銥薄膜進(jìn)行了研究分析,工作主要涉及以下內(nèi)容:
首先進(jìn)行了原子層沉積和傳統(tǒng)光學(xué)薄膜制備技術(shù)的比較,深入理解了原子層沉積的機(jī)理和技術(shù)特性,詳細(xì)探討了影響
2、原子層沉積效果的因素:前驅(qū)體的選取,表面化學(xué),反應(yīng)溫度,反應(yīng)腔內(nèi)流體力學(xué)等。同時(shí)闡述了目前原子層沉積制備薄膜的特殊應(yīng)用。
原子層沉積制備氧化物薄膜的研究。先從Al2O3和TiO2單層膜特性展開(kāi),通過(guò)對(duì)薄膜樣品的反射率測(cè)量、橢偏測(cè)試和計(jì)算分析,得到了薄膜樣品的光學(xué)常數(shù)和原子層沉積生長(zhǎng)速率,驗(yàn)證了ALD沉積薄膜優(yōu)異的均勻性和致密的特性。在此基礎(chǔ)上,將其應(yīng)用于石英管內(nèi)壁減反膜和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池水氣阻隔層的制備,并達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
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