β二酮類(lèi)金屬有機(jī)前驅(qū)體原子層沉積金屬薄膜.pdf

1、近年來(lái)在現(xiàn)代納米科技中，三維共形沉積的貴金屬和過(guò)渡金屬薄膜由于其具有高熔點(diǎn)、高化學(xué)穩(wěn)定性、高強(qiáng)度、良好的延展性、抗氧化性、耐腐蝕性、高催化活性以及良好的導(dǎo)電性等物理化學(xué)特性,而被應(yīng)用于微電子、光學(xué)、電極材料、燃料電池、氣敏元件和航空航天等高新技術(shù)和軍工技術(shù)的各個(gè)領(lǐng)域，因此探究三維共形沉積貴金屬和過(guò)渡金屬薄膜具有重要的現(xiàn)實(shí)意義和實(shí)用價(jià)值。
　　本課題采用原子層沉積的方法，以β二酮類(lèi)金屬有機(jī)前驅(qū)體（乙酰丙酮、氟化的乙酰丙酮）為金屬源，

2、在硅片上沉積貴金屬(Ir、Pd、Pt)和過(guò)渡金屬（Cu）。針對(duì)Kemicro-TALD-100A型號(hào)的熱型原子層沉積設(shè)備對(duì)固體粉末源出源差的問(wèn)題，對(duì)沉積設(shè)備進(jìn)行升級(jí)和優(yōu)化，研究長(zhǎng)周期對(duì)銥和鈀薄膜生長(zhǎng)的影響，尋求沉積金屬銥薄膜更優(yōu)的解決方案。借助X射線衍射（XRD）、能譜測(cè)試（EDS）、X射線電子能譜（XPS）、掃描電鏡（SEM）、原子力顯微鏡（AFM）等手段對(duì)金屬薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌進(jìn)行研究。
　　通過(guò)研究，取得以下成果：
　　

3、1.在熱型原子層沉積設(shè)備上增加源瓶增壓裝置，并對(duì)粉塵裝的金屬源設(shè)計(jì)了過(guò)濾系統(tǒng)，避免了儀器管道的污染。在該設(shè)備上沉積貴金屬(Ir、Pd、Pt)和過(guò)渡金屬（Cu）薄膜。結(jié)果表明，沉積在襯底上的Ir、Pt、Pd均為金屬單質(zhì)而Cu中含有一定量的氧化物，可能由于銅暴露空氣中被氧化的原因。
　　2.研究長(zhǎng)周期對(duì)銥和鈀薄膜生長(zhǎng)的影響。在500周期時(shí)，銥和鈀薄膜以島狀生長(zhǎng)模式占主導(dǎo)，在800周期時(shí)，生長(zhǎng)模式以二維層狀為主導(dǎo)；800周期的銥和鈀金屬