超光滑光學(xué)表面的平坦化技術(shù)研究.pdf

1、超光滑表面在光學(xué)、微電子、能源等各個(gè)領(lǐng)域都有著重要的應(yīng)用，成為各國(guó)精密加工技術(shù)研究的重點(diǎn)。尤其在光學(xué)領(lǐng)域，超光滑表面成為降低散射，提高抗破壞閾值的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。而利用離子束刻蝕拋光法制備超光滑光學(xué)表面的關(guān)鍵技術(shù)之一即是超光滑光學(xué)表面平坦化技術(shù)。
　　本文主要以ZnS、KDP為基底材料來(lái)研究超光滑光學(xué)表面平坦化技術(shù)，內(nèi)容主要包括了超光滑光學(xué)表面的特點(diǎn)、應(yīng)用、加工工藝等，并針對(duì)如何在晶體表面獲得粗糙度低的平坦化層進(jìn)行了工藝實(shí)驗(yàn)，總結(jié)出

2、一條完整的工藝路線并給出具體工藝參數(shù)。獲得的主要結(jié)論如下:
　　1)在ZnS晶體基底表面，使用PI1-1500膠，在低轉(zhuǎn)速600r·min-1，高轉(zhuǎn)速5000r·min-1進(jìn)行旋涂，固化溫度150℃，時(shí)間30min。然后再經(jīng)過(guò)熱回流，回流溫度190℃，回流時(shí)間10～20min，熱回流后再進(jìn)行氣相回流，回流通氣流量200ml·min-1，回流時(shí)間40～60min，最后可獲得表面粗糙度較低并且表面疵點(diǎn)較少的平坦化層，表面粗糙度最低可降

3、到1.2nm以下。使用PI1-700膠，在低轉(zhuǎn)速600r·min-1，高轉(zhuǎn)速3000r·min-1旋涂，后熱烘溫度150℃，熱烘時(shí)間15min。然后再經(jīng)過(guò)熱回流，回流溫度190℃，回流時(shí)間10～20min，最后進(jìn)行氣相回流，通氣流量500ml·min-1，通氣時(shí)間45min時(shí)可獲得表面粗糙度較低并且表面疵點(diǎn)較少的平坦化層，表面粗糙度最低可降到1.1nm以下。
　　2)在KDP晶體基底表面，使用PI1-1500膠，在低轉(zhuǎn)速600r·