N層垂直耦合量子點的基態(tài)躍遷.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、首先本文在第一章中介紹了低維半導體量子點在國內(nèi)外的研究現(xiàn)狀,背景和意義.第二章具體介紹了諧振子乘積基展開法,推導了二維N體系統(tǒng)的Talmi-Moshinsky變換系數(shù).然后考慮處于外磁場中被拋物勢約束的N層單電子垂直耦合量子點系統(tǒng),即每層量子點僅含一個電子,寫出了該系統(tǒng)的哈密頓量,從理論上獲得了二維N層單電子垂直耦合量子點能量矩陣元的計算公式.第三章研究雙層單電子垂直耦合量子點系統(tǒng)在不同自旋(自旋單態(tài)和自旋三態(tài))和不同耦合強度(單個量子

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