掩模對(duì)Ag超透鏡成像質(zhì)量和像距的影響.pdf

1、由于衍射極限的存在，限制了光學(xué)成像和光刻系統(tǒng)的分辨率。隨著表面等離子激元理論研究的深入和工藝技術(shù)的進(jìn)步，利用表面等離子體放大倏逝波參與成像，突破衍射極限，實(shí)現(xiàn)亞波長分辨率成為可能。
　　本學(xué)位論文基于單層銀板所構(gòu)成的超透鏡成像系統(tǒng)，利用有限元法計(jì)算模擬了金屬平板超透鏡近場成像過程，進(jìn)一步研究Cr光柵掩模的厚度、線寬以及輪廓變化對(duì)超分辨成像光刻的質(zhì)量和像距的影響。同時(shí)，采用光學(xué)傳遞函數(shù)，模擬了橫磁波模式下SiO2-Media-Air

2、結(jié)構(gòu)的透光率，結(jié)合有限元法進(jìn)一步研究掩模材料對(duì)超分辨成像光刻的質(zhì)量和像距的影響。論文的主要工作內(nèi)容和結(jié)果如下:
　　1.研究Cr膜光柵的厚度、線寬和輪廓對(duì)超分辨成像光刻的質(zhì)量和像距移動(dòng)的影響。研究結(jié)果表明，超分辨成像的對(duì)比度隨掩模厚度的增加而增大，當(dāng)厚度大于50 nm，達(dá)到穩(wěn)定值;隨掩模厚度的增加，成像系統(tǒng)的像平面變淺。在相同掩模厚度變化范圍內(nèi)，線寬越大，對(duì)比度的變化范圍(△C)和像平面位置的變化范圍（Δy）也都越大，但前者變化更

3、大;在相同掩模厚度下，成像系統(tǒng)的像平面隨著光柵線寬的增加而變遠(yuǎn)。當(dāng)滑坡狀的掩模輪廓偏離理想掩模輪廓的程度增大，即θ角越大，成像對(duì)比度的最大值隨之減小，但像平面幾乎不發(fā)生移動(dòng)。
　　2.研究掩模材料對(duì)超分辨成像光刻的質(zhì)量和像距的影響。研究結(jié)果表明，在Cr、Au、Pt、Ti、W、Si材料中，采用Si制備的掩模所成像的對(duì)比度最高，幾乎接近1，且成像對(duì)比度受掩模厚度變化的影響最小;光柵掩模材料為Cr、Au、Pt、Ti、W時(shí)，成像系統(tǒng)的像平