幾個雜環(huán)化合物以及HF與惰性氣體形成二聚體過程中分子形貌的理論研究.pdf

1、分子形貌是研究分子的形狀和大小以及分子的前沿電子密度的一種方法。本文利用分子形貌理論，研究了幾個五元雜環(huán)化合物(pyrrole，thiophene，pyrazole，thiazole，imidazole，isothiazole)分子中一個電子所受到的作用勢及分子內(nèi)稟特征信息；探究了FH—Rg(Rg=He，Ne，Ar，Kr)二聚體動態(tài)過程分子形貌的變化。具體內(nèi)容如下：
　　 采用MP2/6—311++G(3df，3pd)方法優(yōu)化得

2、到了pyrrole，thiophene，pyrazole，thiazole，imidazole，isothiazole的低能幾何結(jié)構(gòu)，并在MP2/6—31G水平下計算了這些雜環(huán)化合物的第一電離能；計算了雜環(huán)化合物中各原子在最高占據(jù)軌道上所占的系數(shù)，給出了雜環(huán)化合物的最高占據(jù)軌道的圖形。使用MELD精密從頭算中的CISD/3—21+g(d，p)方法，并結(jié)合我們自編的分子形貌程序，繪出了pyrrole，thiophene，pyrazole，

3、thiazole，imidazole，isothiazole的分子形貌圖;計算了分子中一個電子所受到的作用勢，探究了雜環(huán)化合物環(huán)上成鍵原子間的鍵長和該化學(xué)鍵的作用勢的勢壘(Dpb)的線性關(guān)系；并計算了環(huán)心處的作用勢，證明了在環(huán)心處的作用勢的大小與分子極化率有一定的關(guān)系，可以用來表征分子的變形性。計算了分子內(nèi)稟特征信息和分子界面電子密度的均勻度，環(huán)上的電子密度分布越均勻，共軛效應(yīng)越好，芳香性就越強(qiáng)，雜環(huán)就越穩(wěn)定。
　　 FH—Rg

4、(Rg=He，Ne，Ar，Kr)二聚體動態(tài)過程分子形貌的研究。采用MP2/6—311+G(2d，2p)方法優(yōu)化得到FH—Rg(Rg=He，Ne，Ar，Kr)二聚體的低能幾何結(jié)構(gòu)。使H原子和Rg之間的距離從8．0(A)變化到2．0(A)，用同樣的方法和基組優(yōu)化得到H原子和Rg原子處于不同距離時的幾何構(gòu)型。并在MP2/6—311++G(2d，2p)水平下計算了這些二聚體的第一電離能：在MP2/STO—3G水平下計算了這些二聚體中各原子在最高

5、占據(jù)軌道上的系數(shù)，給出了最高占據(jù)軌道的圖形。結(jié)合二聚體中各原子在最高占據(jù)軌道上的系數(shù)分析二聚體電離能的變化趨勢。使用MELD精密從頭計算中的CISD/6—311++g(2d，2p)方法，并結(jié)合我們自編的分子形貌程序，繪出了FH———Rg(Rg=He，Ne，Ar，Kr)的分子形貌。展示了當(dāng)Rg原子逐漸接近HF分子中的H時，二聚體分子形貌的變化；計算了FH———Rg(Rg=He，Ne，Ar，Kr)二聚體的內(nèi)稟特征參數(shù)，當(dāng)Rg原子和H原子間的