磁控濺射(Dy-Pr)-Zn制備高矯頑力NdFeB磁體工藝與性能研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩80頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、隨著社會的不斷發(fā)展與進步,具有高磁能積和高矯頑力的燒結(jié)NdFeB永磁材料,成為功能材料的研究熱點。在傳統(tǒng)的雙合金法中,單純的減鏑會使得燒結(jié) NdFeB磁體的矯頑力、耐熱性和耐腐蝕性下降。因此,在保證降低重稀土的同時,如何提高鏑的利用率,提高磁體矯頑力,改善熱穩(wěn)定性和耐腐蝕性是目前急需解決的重大難題。本研究通過晶界擴散DyZn/ PrZn膜層制備了高綜合性能的磁體,該技術(shù)可以保證在磁體剩磁基本不變的情況下,大幅度提高磁體矯頑力,改善磁體的

2、熱穩(wěn)定性及耐腐蝕性。
  本研究主要內(nèi)容包括:⑴采用磁控濺射的方法,在燒結(jié)態(tài)NdFeB磁體表層濺射一層 DyZn/ PrZn膜層,通過晶界擴散處理,制備出性能優(yōu)化的磁體。結(jié)果表明:燒結(jié)態(tài)DyZn擴滲磁體的最佳的熱處理工藝為850℃×5 h+500℃×2 h,該工藝可有效地提高磁體的矯頑力,與原始燒結(jié)態(tài)磁體相比,其矯頑力提高了747.44 kA/m,且其剩磁基本不降低。Dy元素沿著晶界液相從表層向內(nèi)部擴散,隨著擴滲距離的增加,擴滲量

3、減少,在約1800μm處,Dy元素含量~2.26%。晶界擴散過程中,Dy元素取代主相晶粒外延層的 Nd元素,形成(Nd, Dy)2Fe14B硬磁相具有大的磁晶各向異性場,光滑連續(xù)富Nd相的形成,增強了主相晶粒之間的去磁耦合效應(yīng),共同作用使得磁體矯頑力提高,而且由于Dy元素沒有擴滲進入晶粒內(nèi)部,剩磁降低很少。⑵燒結(jié)態(tài)PrZn擴滲磁體的最佳的熱處理工藝為750℃×3 h+500℃×2 h,該工藝下磁體矯頑力提高了353.18 kA/m,且剩

4、磁和最大磁能積基本不降低,并保持了較好的方形度。燒結(jié)態(tài) PrZn擴滲磁體富 Nd相連續(xù)光滑化以及成分分布的優(yōu)化,增強了相鄰晶粒之間的去磁耦合效應(yīng),提高了反磁化形核場,是磁體矯頑力提升的主要原因。采用非重稀土元素組成的 PrZn膜層進行晶界擴散處理,最佳熱處理工藝所需的溫度更低,時間更短,節(jié)約了原材料成本和生產(chǎn)成本。⑶對比研究 DyZn和 PrZn兩種不同擴散源對磁體磁性能、熱穩(wěn)定性及耐腐蝕性能的影響,結(jié)果表明:燒結(jié)態(tài) DyZn擴滲磁體的

5、矯頑力和熱穩(wěn)定性明顯高于燒結(jié)態(tài) PrZn擴滲磁體。在20℃~180℃范圍內(nèi),原始燒結(jié)態(tài)磁體的αBr和βHcj分別為-0.1188%/℃和-0.5533%/℃,而燒結(jié)態(tài)(Dy/Pr)Zn擴滲磁體的αBr為-0.1051/-0.1180%/℃,βHcj為-0.4815/-0.5533%/℃,均低于原始樣品。晶界擴散處理可以改善磁體的耐腐蝕性,且燒結(jié)態(tài) PrZn擴滲磁體的耐腐蝕性與燒結(jié)態(tài) DyZn擴滲磁體的相當。在 HAST環(huán)境下腐蝕288

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論