2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、21世紀(jì)以來,氧化物薄膜晶體管的研究和應(yīng)用取得了很大的進(jìn)展。其中n-TFT由于遷移率較高,在可見光區(qū)光透過率較高和可低溫制備等優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于液晶顯示器件的制備,而 p型氧化物材料較少且光電性能較差,嚴(yán)重阻礙了互補(bǔ)型金屬氧化物的研究進(jìn)展,因此非常有必要對(duì) p型半導(dǎo)體氧化物進(jìn)行研究。為了制備出性能較好的p型薄膜晶體管,本文著重對(duì)CuO-TFT的磁控濺射制備工藝和器件的性能進(jìn)行研究,文章的主要內(nèi)容包括以下幾個(gè)部分:
  本文采用射頻

2、磁控濺射法,以金屬Cu為靶材,普通玻璃為襯底,在不同的氧分壓條件下鍍膜,經(jīng)過不同溫度的退火處理后分別進(jìn)行一系列的表征分析。XRD和XPS結(jié)果表明隨著氧分壓的增大,薄膜中的Cu逐漸被氧化,氧分壓為3%時(shí)薄膜為純相 Cu2O,3%以下的薄膜中含有 Cu,3%以上則被氧化為 CuO;隨著退火溫度的升高,薄膜中晶體的結(jié)晶質(zhì)量變好,晶粒尺寸增大;100 nm以下的CuxO薄膜在可見光波段的透過率均超過70%;不同工藝制備的薄膜的光學(xué)帶系寬度都在1

3、.9 V~2.6 V之間;室溫下制得薄膜的載流子遷移率隨氧分壓的增大而增大,退火后載流子遷移率最大提升到8.433 cm2/Vs,載流子濃度最低可以降低到2.873×1013 cm-3。
  通過比較不同工藝條件下制備的薄膜的性能,確定兩種CuO薄膜的最佳制備工藝分別為:①本底真空度5×10-7 mbar,工作壓力3×10-3 mbar,射頻功率60 W,氧分壓3%,沉積時(shí)間1 min,600℃空氣中退火處理10 h。②本底真空度

4、5×10-7 mbar,工作壓力3×10-3 mbar,射頻功率60 W,氧分壓7%,沉積時(shí)間3 min,600℃空氣中退火處理10 h。用以上兩種工藝途徑制得的CuO作為有源層制備CuO-TFT器件,分析有源層制備工藝對(duì)TFT性能的影響。
  進(jìn)一步地,為了分析不同工藝條件對(duì) TFT性能的影響,本文采用錯(cuò)排型底柵極(S-BG)結(jié)構(gòu)制備出“Si-SiO2-CuO-Al”薄膜晶體管器件,其中 CuO薄膜分別采用上述兩種工藝制得。兩個(gè)

5、CuO-TFT器件都是典型的p型溝道增強(qiáng)型TFT器件,都具有良好的柵壓調(diào)控性能,器件都有較為明顯的飽和性。其中用上文①條件制備的 CuO作為有源層的 TFT器件電學(xué)性能較好,其場(chǎng)效應(yīng)遷移率為0.32 cm2/Vs、開關(guān)電流比為3.0×102、閾值電壓為-9 V、亞閾值擺幅約為5.4 V/dec、界面態(tài)密度為1.4×1012 cm-2。總體來看,兩個(gè)TFT器件的電學(xué)性能并不理想,這可能是因?yàn)樵赥FT器件有源層和絕緣層界面處存在較高密度的空

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