磁控濺射Cu2O-TFT的制備及性能研究.pdf

1、隨著顯示技術(shù)的發(fā)展,氧化物TFT由于其具有高透過率、載流子遷移率和可以低溫制備等優(yōu)點,已經(jīng)成為了研究熱點。但是目前的氧化物TFT主要集中于n型,比如IGZO-TFT,ZnO-TFT等,p型氧化物TFT材料基本上很少,且性能遠遠達不到n型TFT的水平。而且P型氧化物TFT不僅僅只局限于AMLCD和AMOLED中的應(yīng)用,還可以與n型氧化物TFT結(jié)合在一起形成全氧化物的CMOS和p-n二極管。因此,很有必要展開對于p型氧化物的研究。本文中,采

2、用磁控濺射法制備了有源層Cu2O薄膜并研究了其性能,制備了Cu2O-TFT并研究了其電學(xué)性能,主體內(nèi)容分為以下三個部分:
　　1. Cu2O薄膜的制備。以金屬Cu為靶材,采用用射頻磁控濺射法在普通玻璃襯底上制備出薄膜樣品。探索出制備純相的Cu2O薄膜工藝具體參數(shù)是:濺射功率為50W、氧氬比為5sccm/70sccm、工作壓強為1.8pa。在上述工藝條件下,研究了不同襯底溫度對Cu2O薄膜薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響,結(jié)果表明襯底溫度

3、的升高有助于薄膜生長質(zhì)量的提高。研究了不同Cu2O薄膜厚度對于光學(xué)性能的影響,結(jié)果表明薄膜的透過率隨著薄膜厚度的增加而減小。
　　2.Cu2O-TFT的制備。實驗過程中以重摻雜的p-Si作為襯底及柵極,SiO2為柵極絕緣層,利用磁控濺射的Cu2O薄膜為半導(dǎo)體有源層,電子束蒸發(fā)法制備的Al薄膜為源漏電極,采用光刻工藝和剝離工藝制備出了底柵頂接觸型的Cu2O-TFT。研究了不同有源層厚度對于TFT電學(xué)性能的影響,結(jié)果表明TFT器件性能