基于電沉積吡咯、3,4-二氧乙撐噻吩熱電薄膜材料的摻雜與性能研究.pdf_第1頁
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1、使用電化學(xué)恒電位沉積的方法制備聚吡咯薄膜熱電材料，優(yōu)化了制備聚吡咯薄膜的方法，并在此基礎(chǔ)上與Sb2Te3無機(jī)顆粒進(jìn)行物理共混沉積，得到無機(jī)-有機(jī)Sb2Te3/PPy復(fù)合材料。室溫下，復(fù)合薄膜材料的Seebeck系數(shù)(35.6368μV/K)得到明顯的提高，約為純聚吡咯薄膜(8.4568μV/K)的4倍。測(cè)試了復(fù)合薄膜在不同溫度下(300K-400K)的電導(dǎo)率和Seebeck系數(shù)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:溫度為400K，電電聚合時(shí)間為30s，摻雜頻

2、率為6次時(shí)，Seebeck系數(shù)最高可達(dá)到38.96μV/K;溫度為400K，電沉積聚吡咯時(shí)間為100s，摻雜頻率為2次時(shí)，電導(dǎo)率最大為1556S/m，PF值最高為0.223μW/m K2。室溫下，純聚吡咯薄膜和復(fù)合薄膜的熱導(dǎo)率分別為8.06W/m K和5.86W/mK。除此之外，吡咯單體與3，4-二氧乙撐噻吩單體分散在對(duì)甲苯磺酸溶液中，利用循環(huán)伏安法進(jìn)行聚合，得到的有機(jī)復(fù)合薄膜的Seebeck系數(shù)為16.92μV/K，約為純聚吡咯薄膜(

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