直接覆銅陶瓷層上層鋪金屬對IGBT模塊可靠性影響.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)集合了場效應(yīng)管和雙極晶體管的優(yōu)點，由于具有高輸入阻抗及低導通壓降的特點而被廣泛的應(yīng)用在電力轉(zhuǎn)換及功率系統(tǒng)中。但 IGBT模塊在使用過程中器件的功率耗散很大，會產(chǎn)生大量的熱，從而降低模塊的可靠性。因此越來越多的人致力于從焊料層、引線鍵合、模塊壽命預測模型等方面研究IGBT模塊的可靠性問題。
　　本文通過有限元仿真軟件建立 IGBT模塊典型封裝模型，通過對建立的IGBT封裝模型進行熱力耦合仿真研究焊料層可靠

2、性；制備同仿真一樣的IGBT封裝模塊，其中芯片的參數(shù)是650V/30A。對該模塊利用溫度循環(huán)實驗來驗證仿真的結(jié)果。同時通過功率循環(huán)實驗，采取Coffin-Manson預測模型對制備的IGBT模塊進行壽命預測。
　　有限元仿真結(jié)果表明直接覆銅陶瓷層(DBC)板上層鋪金屬布局對模塊焊料層可靠性有影響，且溫度循環(huán)實驗在一定程度上驗證了該結(jié)論。在保證載流能力一定的條件下，在大塊鋪金屬間增加適當網(wǎng)格，仿真結(jié)果顯示焊料層間所受應(yīng)力可減小50％

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