H-,2-SiCl-,2-分子高振動(dòng)激發(fā)態(tài)的研究.pdf

1、在第一章,我們首先介紹了實(shí)驗(yàn)部分的內(nèi)容.主要閘述了記錄H<,2>SiCl<,2>分子振動(dòng)光譜用到的儀器設(shè)備和實(shí)驗(yàn)技術(shù),包括傅立葉變換光譜技術(shù)和傅立葉變換激光腔內(nèi)吸收光譜技術(shù)兩部分.最后給出我們記錄到的H<,2>SiCl<,2>分子2000~9000cm<'-1>和12000~12900cm<'-1>振動(dòng)光譜和一個(gè)初步分析.結(jié)果表明,對(duì)于SiH的伸縮振動(dòng)帶,僅考慮非諧性還不能得到滿意的光譜解釋.在第二章,我們分析和討論了H<,2>SiCl

2、<,2>分子SiH的伸縮振動(dòng).我們首先擬合確定出SiH振動(dòng)時(shí),"基座"SiCl<,2>的有效質(zhì)量和相關(guān)的光譜參數(shù).然后依據(jù)局域模振動(dòng)理論和擬合確定的光譜參數(shù),從振動(dòng)能級(jí)、振動(dòng)波函數(shù)和分子對(duì)稱性等幾個(gè)方面,討論了在高振動(dòng)態(tài)下SiH振動(dòng)能量的局域化現(xiàn)象,并比較了不同理論模型下的物理圖象.在第三章,我們研究了SiH伸縮—彎曲振動(dòng)的耦合.我們選取了曲線內(nèi)坐標(biāo)下的振動(dòng)哈密頓量模型,推導(dǎo)出SiH伸縮—彎曲耦合哈密頓矩陣元.并分別以簡(jiǎn)正坐標(biāo)模式和曲線

3、內(nèi)坐標(biāo)模式分析討論了SiH伸縮和彎曲振動(dòng)的Fermi共振,結(jié)果表明,SiH伸縮和彎曲振動(dòng)之間的Fermi共振較弱,原因在于,動(dòng)項(xiàng)和勢(shì)能項(xiàng)相互抵消了對(duì)Feimi共振的貢獻(xiàn).在第四章,我們首先分析了 SiCl伸縮振動(dòng)的Darling—Dennison共振,結(jié)果表明:SiCl沒有類似SiH伸縮振動(dòng)之間的較強(qiáng)Darling-Dennsion共振.然后,我們重點(diǎn)討論了SiH的搖擺振動(dòng)和伸縮、彎曲振動(dòng)的相互耦合,依據(jù)簡(jiǎn)正振動(dòng)理論,擬合歸屬了這SiH