InN量子點(diǎn)應(yīng)變分析及其特性研究.pdf

1、首先，本文計(jì)算了InN/GaN量子點(diǎn)材料的I臨界厚度。并利用有限元方法，考慮了InN/GaN材料的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)特性，在相同高寬比下，分別計(jì)算了掩埋透鏡形、平頂六角金字塔形和六角金字塔形量子點(diǎn)的應(yīng)變分布。應(yīng)變主要集中在浸潤(rùn)層和量子點(diǎn)內(nèi)，浸潤(rùn)層對(duì)電子能級(jí)有著重要的影響。此外，為了比較三種量子點(diǎn)的穩(wěn)定性，我們還計(jì)算了它們的能量，六角金字塔形是最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果與理論及文獻(xiàn)報(bào)道相符合。
　　其次，計(jì)算與實(shí)驗(yàn)觀察到的最穩(wěn)定結(jié)構(gòu)均為六角

2、金字塔形，因此我們比較了在相同生長(zhǎng)條件下得到的非掩埋和掩埋六角金字塔形量子點(diǎn)的應(yīng)變場(chǎng)分布。同時(shí)也計(jì)算了兩種量子點(diǎn)的能量。覆蓋層的生長(zhǎng)使得量子點(diǎn)內(nèi)引入了新的應(yīng)變，并使導(dǎo)帶能級(jí)向高能方向移動(dòng)，同時(shí)也增大了量子點(diǎn)系統(tǒng)的能量。
　　最后，利用X射線雙晶衍射、原子力顯微鏡和光致發(fā)光檢測(cè)了三個(gè)具有不同高寬比和量子點(diǎn)密度的非掩埋InN/GaN量子點(diǎn)樣品，并進(jìn)行了比較分析。同時(shí)也計(jì)算了三種量子點(diǎn)的應(yīng)變場(chǎng)分布和包括浸潤(rùn)層在內(nèi)的量子點(diǎn)能量，量子點(diǎn)尺寸