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文檔簡介
1、近年來,2D層狀材料因其高遷移率在光電探測器的應用上而備受矚目,但這類材料由于其固定的禁帶寬度使其吸光范圍受到限制。而量子點雖然遷移率低,但有高靈敏度、帶隙可調的優(yōu)勢。將2D層狀材料與量子點相結合,將有望制備出高性能、吸光范圍可調的光電探測器。本論文中,首先制備了SnS2和PbS量子點,并對其光探性能進行了研究,然后對混合SnS2-PbS量子點光探進行了測試。具體內容如下:
(1)采用熱蒸發(fā)法制備 SnS2納米薄膜,并對其退火
2、工藝進行了優(yōu)化,在硫氣氛下,300℃退火3小時能有效改善SnS2的質量,光探響應度R為47uA/W,歸一化比探測率D?為4.6×106Jones;
(2)采用一種新方法制備了SnS2納米片,首先熱蒸發(fā)金屬Sn,然后封管硫化,該方法可以大量制備取向各異、大小均勻的SnS2納米片。其光電探測器的響應速度很快,上升和下降時間在1ms以內,響應度R為0.33A/W,歸一化比探測率D?為5.8×109Jones,噪聲超低,大約為6×10
3、-16A/Hz,是目前報道的文獻中最小的;
(3)采用熱注入法,通過調控注入溫度合成了不同大小的PbS量子點,還研究了不同濃度TBAI鈍化PbS量子點對光電導性能的影響,10mg/mL的TBAI處理的PbS量子點所制備的光探,其響應度R為121.6uA/W,歸一化比探測率D?為6.0×107Jones;
(4)對混合SnS2-PbS量子點光電探測器進行測試,成功拓寬了SnS2的吸收光譜,對930nm的近紅外光有光響應
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