納米ZnO的制備及其光電特性研究.pdf

1、纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氧化鋅（ZnO）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，室溫下帶隙寬度為3.37eV，激子束縛能高達(dá)60meV，是制備紫外光電器件的理想材料.
　　 納米結(jié)構(gòu)ZnO由于其獨特的光電特性，尤其是一維納米結(jié)構(gòu)（納米棒、納米線），在紫外光電探測器、場效應(yīng)管、場發(fā)射等方面有著非常巨大的應(yīng)用前景。本文通過水熱法制備了爪狀ZnO納米棒的陣列，利用SEM，F(xiàn)E-SEM，XRD等手段詳細(xì)分析了這種結(jié)構(gòu)的形成機理及晶體結(jié)構(gòu)，并研究了這種陣列的場發(fā)射性

2、質(zhì)以及光學(xué)性質(zhì)。由于水熱法生長的棒密度比較大，棒與棒之間的屏蔽效應(yīng)非常明顯，我們嘗試了三種不同的方案來控制ZaO納米棒的生長區(qū)域用以改善場發(fā)射的效果。
　　 MgZnO是一種晶體結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)與ZnO相近，而禁帶寬度則更大的材料。這種材料可和ZnO一起組成異質(zhì)結(jié)、量子阱和超晶格，不但能極大地提高ZnO的發(fā)光效率，而且能對材料的發(fā)光特性進(jìn)行調(diào)制，在制備紫外波段的光電器件方面有著廣闊的應(yīng)用前景。本文通過溶膠-凝膠法成功制備MgZnO