碘化銫晶體的拋光研究.pdf

1、早在20世紀(jì)80年代,人們就發(fā)現(xiàn)了CsI(Tl)晶體在光學(xué)領(lǐng)域應(yīng)用的優(yōu)點(diǎn)。隨著CsI(TI)應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，如何獲得優(yōu)良的表面質(zhì)量以滿足應(yīng)用的需要就顯得十分重要。但是由于 CsI(TI)具有質(zhì)軟、易水解、對溫度和光變化敏感等特點(diǎn)，這些特點(diǎn)對加工造成了一定的難度。傳統(tǒng)的加工方法是采用含有磨料的拋光液對材料表面進(jìn)行超精密加工。雖然傳統(tǒng)加工方式因?yàn)橛心チ洗嬖诘年P(guān)系而能夠產(chǎn)生較大的材料去除率。但是固體磨料普遍分散性差而且易于發(fā)生黏結(jié),會在表

2、面產(chǎn)生劃痕和凹坑,使被加工表面的拋光質(zhì)量被惡化,降低材料的使用性能。因此在改進(jìn)原有CsI(TI)晶體超精密加工方法的同時(shí)，也需要努力探索新的CsI(TI)晶體超精密加工技術(shù)，以滿足實(shí)際應(yīng)用的需要。
　　本文提出一種利用水解作用對 CsI(TI)晶體進(jìn)行超精密加工的新技術(shù)，即CsI(TI)晶體水解拋光技術(shù)。首先綜述了 CsI(TI)晶體的傳統(tǒng)加工技術(shù)和化學(xué)機(jī)械拋光的發(fā)展現(xiàn)狀，在此基礎(chǔ)之上，根據(jù)CsI(TI)晶體的易水解性質(zhì)，并借鑒化

3、學(xué)機(jī)械拋光（CMP）中材料的去除機(jī)制，提出了CsI(TI)晶體水解拋光的新技術(shù)。
　　然后，對水解拋光的拋光液成分和配比進(jìn)行了研究，得到了適合本加工技術(shù)的拋光液配方。通過CsI(TI)晶體水解拋光實(shí)驗(yàn)，對拋光液水解作用的控制進(jìn)行了驗(yàn)證，并檢驗(yàn)了所研制拋光液的使用性能。同時(shí)研究了拋光時(shí)間、拋光盤轉(zhuǎn)數(shù)和拋光壓強(qiáng)等變量參數(shù)對 CsI(TI)晶體水解拋光的材料去除率和表面粗糙度的影響，得到了較優(yōu)的工藝參數(shù)組合。
　　最后，對 CsI